[发明专利]一种永磁与交直流复合的漏磁检测方法有效
申请号: | 201210032485.3 | 申请日: | 2012-02-14 |
公开(公告)号: | CN102590328A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 吴德会;孙宝康;张海荣;张志杰 | 申请(专利权)人: | 厦门大学 |
主分类号: | G01N27/83 | 分类号: | G01N27/83 |
代理公司: | 厦门南强之路专利事务所 35200 | 代理人: | 马应森 |
地址: | 361005 *** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 永磁 直流 复合 检测 方法 | ||
1.一种永磁与交直流复合的漏磁检测方法,其特征在于包括以下步骤:
1)将磁化器置于待测铁磁体表面,并按设定的提离值对待测铁磁体进行扫描检测,所述磁化器由绕有激励线圈的U型磁芯和永磁铁组成;
2)往激励线圈施加直流激励信号,在永磁铁和激励线圈的共同作用下,将待测铁磁体局部磁化至饱和状态,这时在待测铁磁体内、外表面的缺陷处将产生漏磁场;
3)利用检测元件以设定的提离值对步骤2)所述漏磁场进行检测,并将检测到的漏磁场信号B1与设定的阈值λ1进行比较,以判断待测铁磁体是否存在缺陷,若B1<λ1,说明待测铁磁体不存在缺陷,则继续步骤2)的检测;若B1>λ1,说明待测铁磁体存在缺陷,则进行下一步骤的检测;
4)退除直流激励信号,往激励线圈施加交流激励信号,这时在永磁铁和激励线圈的共同作用下,磁化器将产生一交变磁化场,在交变磁化场的激励下,待测铁磁体内表面的缺陷处将激发出交变漏磁场,而待测铁磁体外表面的缺陷处的磁场达不到饱和,即不会产生漏磁场;
5)用检测元件对步骤4)所述漏磁场进行检测,并对检测到的交变漏磁场信号进行处理,得到漏磁场信号中交流部分频率分量的幅值B2,将B2与设定的阈值λ2进行比较,以判断缺陷在待测铁磁体的内表面还是外表面,若B2<λ2,说明缺陷在待测部件的外表面,则继续重复步骤2)的检测;若B2>λ2,说明缺陷在待测铁磁体的内表面,则继续重复步骤(4)的检测。
2.如权利要求1所述的一种永磁与交直流复合的漏磁检测方法,其特征在于在步骤1)中,所述激励线圈绕于U型磁芯两侧,并且两侧的激励线圈匝数相等、缠绕方向相反。
3.如权利要求1所述的一种永磁与交直流复合的漏磁检测方法,其特征在于在步骤1)中,所述提离值为0.5~2mm。
4.如权利要求1所述的一种永磁与交直流复合的漏磁检测方法,其特征在于在步骤2)中,所述待测铁磁体局部磁化至饱和状态的80%。
5.如权利要求1所述的一种永磁与交直流复合的漏磁检测方法,其特征在于在步骤3)中,所述检测元件采用霍尔元件。
6.如权利要求1所述的一种永磁与交直流复合的漏磁检测方法,其特征在于在步骤4)中,所述交流激励信号的频率为1~20KHz。
7.如权利要求1所述的一种永磁与交直流复合的漏磁检测方法,其特征在于在步骤5)中,所述交变漏磁场信号处理的具体方法为:
(1)利用数据采集电路对漏磁场信号进行采样;
(2)运用时频变换算法将采样得到的时域信号转化为频域信号;
(3)求出频谱信号中交流频率相对应的幅值B2。
8.如权利要求7所述的一种永磁与交直流复合的漏磁检测方法,其特征在于在步骤(1)中,所述数据采集电路采用数据采集卡。
9.如权利要求7所述的一种永磁与交直流复合的漏磁检测方法,其特征在于在步骤(2)中,所述时频变换算法采用快速傅里叶变换。
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