[发明专利]近场通信设备有效

专利信息
申请号: 201210031497.4 申请日: 2012-02-13
公开(公告)号: CN102647209A 公开(公告)日: 2012-08-22
发明(设计)人: 安德鲁·博特 申请(专利权)人: NXP股份有限公司
主分类号: H04B5/00 分类号: H04B5/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 王波波
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要:
搜索关键词: 近场 通信 设备
【权利要求书】:

1.一种近场通信设备,包括:

天线,所述天线被配置为接收由另一近场通信设备发送的信号,并根据所述信号产生输入电压,

放大器,

可变电阻元件,所述可变电阻元件被布置为串联连接在天线与放大器的输入之间,以及

控制器,所述控制器与可变电阻元件耦合;

其中,

所述近场通信设备可操作用于:

响应于输入电压的增大来增大可变电阻元件的电阻,以及

响应于输入电压的减小来减小可变电阻元件的电阻。

2.根据权利要求1的近场通信设备,还包括耦合在放大器的所述输入与接地之间的可变分路电阻;

其中,

可变分路电阻被配置为从天线接收输入电压,并将电流分路至接地,以及

近场通信设备还可操作用于:

响应于输入电压的增大来减小可变分路电阻的电阻,以及

响应于输入电压的减小来增大可变分路电阻的电阻。

3.根据权利要求1或2的近场通信设备,其中可变电阻元件包括:

第一路径,包括第一电阻器,以及

第二路径,包括开关与第二电阻器的串联结构;

其中,

所述开关可操作用于根据输入电压的值将第二路径与第一路径并联耦合。

4.根据权利要求3的近场通信设备,其中开关包括场效应晶体管,控制器与所述场效应晶体管的栅极耦合。

5.根据权利要求4的近场通信设备,其中,

开关是具有阈值电压的NMOS晶体管,控制器被配置为产生栅极控制电压,以及

NMOS晶体管被配置为当输入电压小于或等于栅极控制电压与NMOS晶体管的阈值电压之和的值时,将第二路径与第一路径并联耦合。

6.根据权利要求3至5中任一项的近场通信设备,包括另一路径,所述另一路径包括另一开关与另一电阻器的串联结构;

其中,

所述另一开关可操作用于根据输入电压的值和控制输入,来将所述另一路径与第一路径并联耦合。

7.根据权利要求3至6中任一项的近场通信设备,其中,所述另一开关包括NMOS晶体管,所述NMOS晶体管具有与控制器的另一输出耦合的栅极,所述控制器包括数字逻辑门,所述数字逻辑门具有与可变电阻元件耦合的输出。

8.根据前述权利要求中任一项的近场通信设备,其中可变分路电阻包括分路晶体管,所述分路晶体管具有与天线耦合的控制端子。

9.根据权利要求8的近场通信设备,其中分路晶体管是场效应晶体管。

10.根据权利要求9的近场通信设备,其中分路晶体管是NMOS场效应晶体管。

11.根据前述权利要求中任一项的近场通信设备,其中天线包括线圈。

12.一种无钥匙进入设备,包括前述权利要求中任一项的近场通信设备。

13.一种应答器,包括权利要求1至11中任一项的近场通信设备。

14.一种RFID标签,包括权利要求1至11中任一项的近场通信设备。

15.一种助听器,包括权利要求1至11中任一项的近场通信设备。

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