[发明专利]一种基于金刚线切割的单晶硅片的湿法制绒方法有效
申请号: | 201210031456.5 | 申请日: | 2012-02-13 |
公开(公告)号: | CN102560685A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 余学功;陈林;杨德仁;路景刚 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | C30B33/10 | 分类号: | C30B33/10;C30B29/06 |
代理公司: | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人: | 胡红娟 |
地址: | 310027 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 金刚 切割 单晶硅 湿法 方法 | ||
1.一种基于金刚线切割的单晶硅片的湿法制绒方法,其特征在于,包括:
(1)将所述的单晶硅片清洗、晾干,于60-80℃条件下在混合溶液中浸泡腐蚀20-400s,得预处理后的单晶硅片,所述的混合溶液由NaOH、异丙醇和去离子水组成,其中NaOH、异丙醇和去离子水的重量比为10-20∶0.8-12∶100-200;
(2)将所述的预处理后的单晶硅片清洗后进行湿法制绒。
2.根据权利要求1所述的湿法制绒方法,其特征在于,步骤(2)中所述的湿法制绒为:将清洗后的单晶硅片于76-82℃条件下在混合溶液中浸泡腐蚀10-30min,再在去离子水中冲洗即可,所述的混合溶液的组成为:以1-2kg的NaOH为基准,异丙醇的添加量为3-5L,制绒添加剂的添加量为100-500ml,去离子水的添加量为150L。
3.根据权利要求1所述的湿法制绒方法,其特征在于,步骤(1)中所述的混合溶液中NaOH、异丙醇和去离子水的重量比为10-15∶0.8-12∶100-200。
4.根据权利要求1所述的湿法制绒方法,其特征在于,步骤(1)中所述的混合溶液中NaOH、异丙醇和去离子水的重量比为10-20∶0.8-12∶80-160。
5.根据权利要求1所述的湿法制绒方法,其特征在于,步骤(1)中所述浸泡腐蚀的时间为20-200s。
6.根据权利要求1所述的湿法制绒方法,其特征在于,步骤(1)所述的单晶硅片在混合溶液中浸泡时的温度为65-75℃。
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