[发明专利]一种基于金刚线切割的单晶硅片的湿法制绒方法有效

专利信息
申请号: 201210031456.5 申请日: 2012-02-13
公开(公告)号: CN102560685A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 余学功;陈林;杨德仁;路景刚 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: C30B33/10 分类号: C30B33/10;C30B29/06
代理公司: 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 代理人: 胡红娟
地址: 310027 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 金刚 切割 单晶硅 湿法 方法
【权利要求书】:

1.一种基于金刚线切割的单晶硅片的湿法制绒方法,其特征在于,包括:

(1)将所述的单晶硅片清洗、晾干,于60-80℃条件下在混合溶液中浸泡腐蚀20-400s,得预处理后的单晶硅片,所述的混合溶液由NaOH、异丙醇和去离子水组成,其中NaOH、异丙醇和去离子水的重量比为10-20∶0.8-12∶100-200;

(2)将所述的预处理后的单晶硅片清洗后进行湿法制绒。

2.根据权利要求1所述的湿法制绒方法,其特征在于,步骤(2)中所述的湿法制绒为:将清洗后的单晶硅片于76-82℃条件下在混合溶液中浸泡腐蚀10-30min,再在去离子水中冲洗即可,所述的混合溶液的组成为:以1-2kg的NaOH为基准,异丙醇的添加量为3-5L,制绒添加剂的添加量为100-500ml,去离子水的添加量为150L。

3.根据权利要求1所述的湿法制绒方法,其特征在于,步骤(1)中所述的混合溶液中NaOH、异丙醇和去离子水的重量比为10-15∶0.8-12∶100-200。

4.根据权利要求1所述的湿法制绒方法,其特征在于,步骤(1)中所述的混合溶液中NaOH、异丙醇和去离子水的重量比为10-20∶0.8-12∶80-160。

5.根据权利要求1所述的湿法制绒方法,其特征在于,步骤(1)中所述浸泡腐蚀的时间为20-200s。

6.根据权利要求1所述的湿法制绒方法,其特征在于,步骤(1)所述的单晶硅片在混合溶液中浸泡时的温度为65-75℃。

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