[发明专利]一种面对等离子体材料中抗起泡的梯度多孔结构无效
| 申请号： | 201210028881.9 | 申请日： | 2012-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN102560214A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 吕广宏;程龙;王波;张颖 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | C22C27/04 | 分类号： | C22C27/04;C22C1/08;C22C1/04;B22F7/02 |
| 代理公司： | 北京永创新实专利事务所 11121 | 代理人： | 姜荣丽 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 面对 等离子体 材料 起泡 梯度 多孔 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种面对等离子体材料中抗起泡的梯度多孔结构，其特征在于：按照孔隙率的变化，钨基面对等离子体材料在厚度方向上由三层组成部分组成，分别为表面多孔层、梯度过渡层和基体，最表面的部分是表面多孔层，表面多孔层下面与之紧密相接的部分为梯度过渡层，最下面与梯度过渡层紧密相连的部分是基体；所述的表面多孔层和梯度过渡层中均有孔隙，孔隙率从表面多孔层向深度方向逐渐减小，在梯度过渡层形成一个梯度变化，最终与基体的孔隙率相同。
2.根据权利要求1所述的面对等离子体材料中抗起泡的梯度多孔结构，其特征在于：表面多孔层的厚度在3微米至8微米的范围，其孔隙率在20％到35％的范围，所有孔隙都与表面贯通，并且组成网架的实体钨的横向粒径尺寸在2微米以下。
3.根据权利要求1所述的面对等离子体材料中抗起泡的梯度多孔结构，其特征在于：梯度过渡层的厚度在3微米到10微米的范围。
4.根据权利要求1所述的面对等离子体材料中抗起泡的梯度多孔结构，其特征在于：基体部分为用于面对等离子体材料的金属钨块体材料。
5.根据权利要求1所述的面对等离子体材料中抗起泡的梯度多孔结构，其特征在于：所述的孔隙与表面贯通，并且存在横向贯通；或者所有孔隙只与表面贯通，相互不存在横向贯通。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京航空航天大学，未经北京航空航天大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210028881.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于注水井的自动测调与监测分注方法及其系统
- 下一篇：牙用磁性固位体
