[发明专利]一种多弧离子镀镀膜的方法无效
| 申请号： | 201210023887.7 | 申请日： | 2012-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN102534514A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 吴化;王淮;宫文彪;宋力;中山弘建 | 申请（专利权）人： | 长春工业大学 |
| 主分类号： | C23C14/32 | 分类号： | C23C14/32 |
| 代理公司： | 吉林长春新纪元专利代理有限责任公司 22100 | 代理人： | 王薇 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 离子镀 镀膜 方法 | ||
1.一种多弧离子镀镀膜的方法，其特征在于：在多弧源发射等离子体的同时，在真空室内设置空心阴极装置，用空心阴极电子枪向阳极发射高能等离子体电子束，使等离子体电子束与多弧源发射的等离子体进行相互交叉运动，其空心阴极电子枪发射等离子体电子束的工艺参数为：空心阴极电流70~220A；占空比10~90%；脉冲偏压幅值-50~-1000V；氮气分压：1×10-1~5×10-1Pa；氩气分压：2×10-1~8×10-1Pa。
2.根据权利要求1所述的一种多弧离子镀镀膜的方法，其特征在于所述的在多弧源发射等离子体的同时用空心阴极电子枪向阳极发射高能等离子体电子束，是指用置于真空室内上方的空心阴极电子枪向位于真空室内下方的中心的阳极靶发射等离子体电子束。
3.根据权利要求1所述的一种多弧离子镀镀膜的方法，其特征在于所述的在多弧源发射等离子体的同时用空心阴极电子枪向阳极发射高能等离子体电子束，是指用置于真空室内上方的空心阴极电子枪向位于真空室内下方的辅助阳极发射等离子体电子束。
4.根据权利要求1所述的一种多弧离子镀镀膜的方法，其特征在于所述的在多弧源发射等离子体的同时用空心阴极电子枪向阳极发射高能等离子体电子束，是指用置于真空室内上方的空心阴极电子枪同时向位于真空室内下方中心的阳极靶和辅助阳极发射等离子体电子束。
5.根据权利要求4和5所述的一种多弧离子镀镀膜的方法，其特征在于所述的辅助阳极制成环绕于阳极靶的辅助阳极。
6.根据权利要求4和5所述的一种多弧离子镀镀膜的方法，其特征在于所述的辅助阳极制成位于工件下方并环绕于阳极靶的辅助阳极。
7.根据权利要求1所述的一种多弧离子镀镀膜的方法，其特征在于所述的空心阴极电子枪采用硼化镧(LaB6)材料制作。
8.根据权利要求1所述的一种多弧离子镀镀膜的方法，其特征在于所述的空心阴极电子枪采用钽(Ta)金属材料制作。
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