[发明专利]磁传感器、磁传感器驱动方法和计算机可读记录介质有效

专利信息
申请号: 201210023082.2 申请日: 2012-01-19
公开(公告)号: CN102680918A 公开(公告)日: 2012-09-19
发明(设计)人: 张振洪 申请(专利权)人: 山梨日本电气株式会社
主分类号: G01R33/06 分类号: G01R33/06;G01R33/09;G01R33/07
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 代理人: 李晓冬
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 传感器 驱动 方法 计算机 可读 记录 介质
【说明书】:

本申请基于2011年1月28日递交的日本专利申请No.2011-016462并要求其优先权,其全部公开内容通过引用方式被结合于此。

技术领域

本发明涉及磁传感器、磁传感器驱动方法和计算机可读记录介质,更具体地,涉及利用电源间歇控制来降低磁电转换元件的平均消耗电流的磁传感器、磁传感器的驱动方法和用于磁传感器的计算机可读记录介质。

背景技术

诸如霍尔元件和磁阻(MR)元件之类的磁电转换元件中的每一个是用于检测磁场并将其转换成电信号的元件。MR元件主要由包含在集成电路芯片上形成的诸如镍或铁之类的铁磁金属的合金薄膜构成。合金薄膜构成惠斯通桥电路的四个电阻。由外部场强度的改变造成的四个电阻之二的阻值的减少导致桥电路的中点电势差的出现。使用诸如霍尔元件或MR元件之类的磁电转换元件的磁传感器在例如PTL 1中被公开。PTL 1在图1中公开了具有霍尔元件的磁传感器、用于在霍尔电压提取方法和用于向霍尔元件施加电源电压VDD的方法之间进行切换的切换电路、包括用于放大来自切换电路的输出的第一和第二放大器电路的放大器电路以及用于通过电容器来比较两个放大器电路的输出的比较单元。两个放大器电路和比较电路被间歇地驱动。此外,PTL 1在图7和图8以及段落[0072]至[0076]中公开了用于间歇控制的通电信号POW由磁传感器电路中的控制电路生成。

引用列表

专利文献

PTL 1 JP-A-2009-002851(图1和图7)

发明内容

技术问题

近年来,MR元件膜的面积随着MR传感器尺寸的减小而减小,并且与该面积成比例的阻值减小,而MR元件的能耗增加。外部电源的间歇控制允许MR元件的平均消耗电流降低到某一水平。然而,由于外部控制组件(例如,微计算机)的能耗或操作速度的限制,外部间歇电源的接通时间(on-time)的缩短有限制。

本发明的一个示例性目的是降低磁传感器内部的组件、特别是磁电转换元件的能耗。

问题的解决方案

根据本发明的示例性第一方面,提供了一种磁传感器,该磁传感器包括:磁电转换元件;脉冲发生器,该脉冲发生器生成具有比来自外部间歇电源的间歇电源信号的通电时间短的脉冲宽度的脉冲;以及切换器,该切换器基于脉冲来控制在通电时间内的间歇电源信号对磁电转换元件的信号施加时间。

根据本发明的示例性第二方面,提供了一种用于磁传感器的驱动方法,该方法包括:生成具有比来自外部间歇电源的间歇电源信号的通电时间短的脉冲宽度的脉冲;以及基于脉冲来控制在通电时间内的间歇电源信号对磁电转换元件的信号施加时间。

发明的有利效果

1.磁电转换元件的整体能耗可以在外部间歇电源控制下减小。

2.用于导通磁电转换元件的脉冲在磁传感器内生成,并且所述脉冲的脉冲宽度减小,由此可以减小磁电转换元件的能耗。

附图说明

图1:示意性地例示了根据本发明的示例性方面的MR传感器的配置的框图。

图2:将被输入到电源端子VCC的外部间歇电源信号的波形。

图3:代表MR元件的接通时间的波形;

图4:存在外部磁场的情况下的输出端子OUT的波形;

图5:根据本发明的MR传感器的操作流程;

图6:存在外部磁场的情况下的操作时序图;

图7:不存在外部磁场的情况下的操作时序图;

图8:示意性地例示了根据本发明第一示例性实施例的磁传感器的配置的框图;

图9:示意性地例示了根据本发明第二示例性实施例的磁传感器的配置的框图。

具体实施方式

下面将参考附图来详细描述本发明的示例性实施例。

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