[发明专利]显示装置

说明书

本分案申请是基于申请号为200880019261.0，申请日为2008年5月28日，发明名称为“显示装置”的中国专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及具有包括电极层的显示元件的显示装置。

背景技术

导电性聚合物因其优越的加工性，在电气、电子工业的各种装置中作为导电性材料或光学材料被广泛利用。对于导电性聚合物，现正在开发能够付诸实用的新的导电性聚合物材料，以进一步提高导电性聚合物的导电性以及加工性。

例如，在导电性聚合物中添加有作为掺杂剂的碱金属或卤素等，以提高导电性(例如，参照专利文件1)。

[专利文件1]日本专利申请公开2003-346575号公报

然而，当将上述导电性聚合物用作显示装置等的电极层时，存在有在显示装置中不能获得高可靠性的问题。

发明内容

鉴于上述问题，本发明的目的在于提供一种高图像质量及高可靠性的显示装置。本发明的目的还在于以低成本且高生产率地提供具有大型屏幕的显示装置。

在本发明中，通过使用包含导电性聚合物的导电性组成物形成用于显示元件的电极层，在该导电性组成物中减小了所包含的离子性杂质的浓度。因此，对于设置在显示装置内的包括导电性聚合物的电极层，可以减少该电极层所包含的离子性杂质(优选为100ppm或更小)。

具有可移动性的离子性杂质在显示装置内移动，并且使设置在电极层上的液晶材料或发光材料劣化，而导致显示不良。因此，若这些成为污染源的离子性杂质在电极层中大量出现，就会使显示装置的特性劣化，导致可靠性的降低。

离子性杂质是由于离子化或解离作用而容易成为离子并且容易移动的杂质。因此，如果离子性杂质是阳离子，则该离子性杂质可以是离子化能量小(如6eV或更小)的元素。作为上述的离子化能量小的元素，例如可以举出锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铯(Cs)、铷(Rb)、锶(Sr)、钡(Ba)等。

如果离子性杂质是阴离子，则该离子性杂质可以是无机酸所包含的阴离子如卤离子等。例如，酸解离常数Ka的负的常用对数pKa值为4或更小的物质容易解离而成为离子。注意，在本说明书中，酸解离常数Ka的负的常用对数pKa值是在25℃的无限稀释溶液中的值。作为如上所述的阴离子，可以举出氟(F^-)、氯(Cl^-)、溴(Br^-)、碘(I^-)、SO₄^2-、HSO₄^-、ClO₄^-、NO₃^-等。

另外，尺寸小的离子(例如，构成离子的原子个数为6或更少)容易具有可移动性，并且容易移动到显示元件内而成为离子性杂质。

因此，在本发明中，通过使用减少了离子性杂质的上述包括导电性聚合物的导电性组成物而制造作为用于显示装置的显示元件的电极层，其中该电极层所包含的离子性杂质的浓度为100ppm或更小。

另外，当本发明的用于显示元件的电极层是薄膜时，其薄层电阻优选为10000Ω/□或更小，且对于波长为550nm的光的透光率优选为70％或更高。另外，电极层所包括的导电性聚合物的电阻率优选为0.1Ω·cm或更小。

作为导电性聚合物，可以使用所谓π电子共轭导电性聚合物。例如，可以举出：聚苯胺和/或其衍生物；聚吡咯和/或其衍生物；聚噻吩和/或其衍生物；这些材料的两种以上的共聚物等。

作为共轭导电聚合物的具体实例，可以举出聚吡咯、聚(3-甲基吡咯)、聚(3-丁基吡咯)、聚(3-辛基吡咯)、聚(3-癸基吡咯)、聚(3，4-二甲基吡咯)、聚(3，4-二丁基吡咯)、聚(3-羟基吡咯)、聚(3-甲基-4-羟基吡咯)、聚(3-甲氧基吡咯)、聚(3-乙氧基吡咯)、聚(3-辛氧基吡咯)、聚(3-羧基吡咯)、聚(3-甲基-4-羧基吡咯)、聚(N-甲基吡咯)、聚噻吩、聚(3-甲基噻吩)、聚(3-丁基噻吩)、聚(3-辛基噻吩)、聚(3-癸基噻吩)、聚(3-十二烷基噻吩)、聚(3-甲氧基噻吩)、聚(3-乙氧基噻吩)、聚(3-辛氧基噻吩)、聚(3-羧基噻吩)、聚(3-甲基-4-羧基噻吩)、聚(3，4-乙烯基二氧基噻吩)、聚苯胺、聚(2-甲基苯胺)、聚(2-辛基苯胺)、聚(2-异丁基苯胺)、聚(3-异丁基苯胺)、聚(2-苯氨磺酸)、聚(3-苯氨磺酸)、等等。