[发明专利]电池隔膜、制造其的方法、电池、电池组及电子设备有效
申请号: | 201210021878.4 | 申请日: | 2012-01-31 |
公开(公告)号: | CN102629676B | 公开(公告)日: | 2016-11-30 |
发明(设计)人: | 余泽中;川名隆宏;长冈信之 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01M2/16 | 分类号: | H01M2/16;H01M10/0525 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 李丙林;张英 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电池 隔膜 制造 方法 电池组 电子设备 | ||
1.一种电池隔膜,包括:
多孔基材,所述多孔基材包括第一表面、与所述第一表面相对的第二表面、和孔,所述孔形成在所述多孔基材中并使所述第一表面和所述第二表面彼此连通;以及
耐热层,所述耐热层被构造成至少覆盖所述第一表面和所述孔的表面,所述耐热层由无机材料形成并通过原子层沉积法进行沉积。
2.根据权利要求1所述的电池隔膜,其中,
所述耐热层具有2nm以上到10nm以下的厚度。
3.根据权利要求1所述的电池隔膜,其中,
所述耐热层覆盖所述第一表面、所述第二表面、以及所述孔的表面。
4.根据权利要求1所述的电池隔膜,其中,
所述无机材料是氧化铝、氧化硅、和氧化钛中的任何一种。
5.根据权利要求1所述的电池隔膜,其中,
所述基材是聚烯烃类树脂。
6.根据权利要求1所述的电池隔膜,其中,
所述基材具有5μm以上到20μm以下的厚度。
7.根据权利要求1所述的电池隔膜,其中,
所述孔具有50nm以上到100nm以下的内径。
8.根据权利要求所述1的电池隔膜,其中,
覆盖所述第一表面的所述耐热层的厚度大于覆盖所述孔的表面的所述耐热层的厚度。
9.根据权利要求1所述的电池隔膜,其中,
覆盖所述孔的表面的所述耐热层的厚度随着离所述第一表面和所述第二表面的距离增加而减小。
10.根据权利要求1所述的电池隔膜,其中,
在覆盖所述孔的表面的所述耐热层中,设置在所述电池隔膜的厚度方向的中央处的所述耐热层的厚度薄于所述耐热层的其它部分的厚度。
11.一种制造电池隔膜的方法,包括:
制备多孔基材,所述多孔基材包括第一表面、与所述第一表面相对的第二表面、和孔,所述孔形成在所述多孔基材中并使所述第一表面和所述第二表面彼此连通;以及
通过原子层沉积法来形成耐热层,所述耐热层被构造成至少覆盖所述第一表面和所述孔的表面并且由无机材料形成。
12.根据权利要求11所述的制造电池隔膜的方法,其中,
所述耐热层交替形成在所述第一表面和所述第二表面上。
13.一种电池,包括:
正极;
负极;
电解质层,所述电解质层布置在所述正极与所述负极之间;以及
隔膜,所述隔膜包括
多孔基材,所述多孔基材包括与所述正极相对的第一表面、与所述负极相对的第二表面、和孔,所述孔形成在所述多孔基材中并使所述第一表面和所述第二表面彼此连通,以及
至少覆盖所述第一表面和所述孔的表面的耐热层,所述耐热层由无机材料形成并通过原子层沉积法进行沉积。
14.一种电池组,包括:
电池;
控制单元,所述控制单元被构造成控制所述电池的充电和放电;以及
封装体,所述封装体被构造成支撑所述电池和所述控制单元,
所述电池包括正极、负极、布置在所述正极与所述负极之间的电解质层、以及隔膜,
所述隔膜包括:
多孔基材,所述多孔基材包括与所述正极相对的第一表面、与所述负极相对的第二表面、和孔,所述孔形成在所述多孔基材中并使所述第一表面和所述第二表面彼此连通,以及
至少覆盖所述第一表面和所述孔的表面的耐热层,所述耐热层由无机材料形成并通过原子层沉积法进行沉积。
15.一种电子设备,包括:
电池;以及
电力接收电路,所述电力接收电路被构造成接收来自所述电池的电力供应,
所述电池包括正极、负极、布置在所述正极与所述负极之间的电解质层、以及隔膜,
所述隔膜包括:
多孔基材,所述多孔基材包括与所述正极相对的第一表面、与所述负极相对的第二表面、和孔,所述孔形成在所述多孔基材中并使所述第一表面和所述第二表面彼此连通,以及
至少覆盖所述第一表面和所述孔的表面的耐热层,所述耐热层由无机材料形成并通过原子层沉积法进行沉积。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司,未经索尼公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210021878.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:开关转换器的主动去同步
- 下一篇:用于半导体器件的伸长凸块结构