[发明专利]在模拟比较器中将自动归零电压移位的方法

权利要求书

1.一种处理信号的方法，所述方法包括以下步骤：

对至少一个晶体管进行二极管配置，以增加至少一个负载晶体管的漏极电压；以及

实施第一开关，以在闭合所述第一开关时使第一输入晶体管的栅极处的电压增加与所述至少一个二极管配置的晶体管相对应的二极管电压。

2.如权利要求1所述的方法，包括以下步骤：实施第二开关，以在闭合所述第二开关时使第二输入晶体管的栅极处的电压增加与所述至少一个二极管配置的晶体管相对应的二极管电压。

3.如权利要求2所述的方法，包括以下步骤：将所述第二输入晶体管的栅极与外部电路电容性地耦接。

4.如权利要求2所述的方法，其中，输出信号取决于所述第一输入晶体管的栅极处的电压电平与所述第二输入晶体管的栅极处的电压电平的比较。

5.如权利要求2所述的方法，其中，所述第一输入晶体管和所述第二输入晶体管是PMOS晶体管。

6.如权利要求1所述的方法，包括以下步骤：将所述第一输入晶体管的栅极与外部电路电容性地耦接。

7.如权利要求1所述的方法，其中，所述至少一个负载晶体管是NMOS晶体管。

8.如权利要求1所述的方法，其中，所述至少一个负载晶体管中的第二个是二极管配置。

9.一种处理信号的系统，所述系统包括：

至少一个二极管配置的晶体管，以增加至少一个负载晶体管的漏极电压；以及

第一开关，所述第一开关被实施为在闭合所述第一开关时使第一输入晶体管的栅极处的电压增加与所述至少一个二极管配置的晶体管相对应的二极管电压。

10.如权利要求9所述的系统，包括第二开关，所述第二开关被实施为在闭合所述第二开关时使第二输入晶体管的栅极处的电压增加与所述至少一个二极管配置的晶体管相对应的二极管电压。

11.如权利要求10所述的系统，包括耦合电容器，所述耦合电容器将所述第二输入晶体管的栅极与外部电路耦接。

12.如权利要求10所述的系统，其中，输出信号取决于所述第一输入晶体管的栅极处的电压电平与所述第二输入晶体管的栅极处的电压电平的比较。

13.如权利要求10所述的系统，其中，所述第一输入晶体管和所述第二输入晶体管是PMOS晶体管。

14.如权利要求9所述的系统，包括耦合电容器，所述耦合电容器将所述第一输入晶体管的栅极与外部电路耦接。

15.如权利要求9所述的系统，其中，所述至少一个负载晶体管是NMOS晶体管。

16.如权利要求9所述的系统，其中，所述至少一个负载晶体管中的第二个是二极管配置。

17.一种处理信号的电路，所述电路包括：

第一PMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管具有与正电压源耦接的源极端子；

所述第一PMOS晶体管的漏极端子与第二PMOS晶体管的源极端子和第三PMOS晶体管的源极端子耦接；

所述第一NMOS晶体管的漏极端子与所述第二PMOS晶体管的漏极端子和第一开关的第一端子耦接；

所述第一开关的第二端子与所述第二PMOS晶体管的栅极耦接；

所述第二NMOS晶体管的漏极端子与所述第二NMOS晶体管的栅极、所述第一NMOS晶体管的栅极、所述第三PMOS晶体管的漏极、以及第二开关的第一端子耦接；

所述第二开关的第二端子与所述第三PMOS晶体管的栅极耦接；

所述第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管中的每个的源极端子与第三NMOS晶体管的栅极和所述第三NMOS晶体管的漏极耦接；以及

所述第三NMOS晶体管的源极端子与地耦接。

18.如权利要求17所述的电路，其中：

偏置信号施加到所述第一PMOS晶体管的栅极端子；

第一输入信号施加到所述第二PMOS晶体管的栅极端子；以及

第二输入信号施加到所述第三PMOS晶体管的栅极端子。

19.如权利要求17所述的电路，其中，输出信号处在所述第二PMOS晶体管的漏极端子与所述第一NMOS晶体管的漏极端子相耦接的节点处。

20.如权利要求17所述的电路，其中，所述第二PMOS晶体管的栅极和所述第三PMOS晶体管的栅极与外部电路电容性地耦接。