[发明专利]一种多路输出升压变换器有效
申请号: | 201210018790.7 | 申请日: | 2012-01-20 |
公开(公告)号: | CN102570796A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 何波;傅电波;吕艺行 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
主分类号: | H02M3/00 | 分类号: | H02M3/00;H02M3/155 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 刘映东 |
地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 输出 升压 变换器 | ||
1.一种多路输出升压变换器,其特征在于,包括:
一个升压变换器、一个或多个升压变换支路;所述升压变换器包括储能电感、第一通断模块、第一开关模块、第一输出滤波电容和控制模块;所述升压变换支路包括第二开关模块和第二输出滤波电容;
所述储能电感分别与所述第一通断模块的阳极,第一开关模块的正极,第二开关模块的正极电连接;所述第一通断模块的阴极与所述第一输出滤波电容的正极电连接;所述第一开关模块的负极和所述第一输出滤波电容的负极都接入到接地点;所述控制模块与所述第一开关模块和第二开关模块相连;所述第二开关模块的负极与所述第二输出滤波电容的正极电连接,所述第二输出滤波电容的负极接入接地点;
在开关周期的第一开关模块开通时间内,所述控制模块控制所述第一开关模块开通以及控制所述第二开关模块关断,所述储能电感接收电源输入的第一电压,所述第一电压经过所述储能电感和第一开关模块流入接地点,所述储能电感储存电能;所述第一输出滤波电容放电并输出电压给与所述升压变换器相连的负载,同时所述第一通断模块阻止所述第一输出滤波电容输出的电压倒灌到所述储能电感中;以及,所述第二输出滤波电容放电并输出电压给与所述升压变换支路相连的负载。
2.如权利要求1所述的多路输出升压变换器,其特征在于,所述第二开关模块对应一个延迟时间,所述延迟时间为所述第一开关模块关断到所述第二开关模块开通的时间;
在所述开关周期的第一开关模块关断时间内,所述控制模块控制所述第一开关模块关断并开始计时,所述储能电感接收电源输入的第一电压,同时放电并输出第二电压,将所述第二电压与第一电压进行叠加得到第三电压,通过所述第一通断模块将所述第三电压输出给所述第一输出滤波电容和与所述升压变换器相连的负载,同时所述第一输出滤波电容充电;以及,当计时时间达到所述第二开关模块对应的延迟时间时,所述控制模块控制所述第二开关模块开通,所述储能电感通过所述第二开关模块将所述第三电压输出给所述第二输出滤波电容和与所述升压变换支路相连的负载,同时所述第二输出滤波电容充电。
3.如权利要求2所述的多路输出升压变换器,其特征在于,
所述控制模块还与所述第一通断模块的阴极和第一输出滤波电容的正极相接;
在所述开关周期的第一开关模块关断时间内,所述控制模块还采集所述升压变换器输出给负载的电压,如果所述升压变换器输出的电压小于预设电压,则所述控制所述第一开关模块开通以及控制所述第二开关模块关断,所述预设电压为所述多路输出升压变换器输出的最低门限。
4.如权利要求2所述的多路输出升压变换器,其特征在于,
所述控制模块还与所述第二开关模块的负极和第二输出滤波电容的正极相连;
在所述第一开关模块关断时间内以及第二开关模块开通时,所述控制模块还采集所述升压变换支路输出给负载的电压,如果所述升压变换支路输出的电压小于预设电压,则控制所述第二开关模块关断,所述预设电压为所述多路输出升压变换器输出的最低门限。
5.如权利要求2所述的多路输出升压变换器,其特征在于,所述升压变换支路还包括:
第二通断模块,所述第二通断模块的阳极与所述储能电感电连接,阴极与所述第二开关模块的正极电连接;
当所述升压变换支路中的第二开关模块开通时,所述储能电感通过所述第二通断模块和第二开关模块输出第三电压给所述第二输出滤波电容和与所述升压变换支路相连的负载。
6.如权利要求1-5任一项权利要求所述的多路输出升压变换器,其特征在于,
所述储能电感为一个电感,或为由多个电感并联或串联而成的电感电路。
7.如权利要求1-5任一项权利要求所述的多路输出升压变换器,其特征在于,
所述第一通断模块为一个二极管,或为由多个二极管并联或串联而成二极管电路,或为一个金氧半场效晶体管Mosfet,或为由多个Mosfet并联或串联而成的Mosfet电路,或为一个绝缘栅双极型晶体管IGBT,或为由多个IGBT并联或串联而IGBT电路。
8.如权利要求1-5任一项权利要求所述的多路输出升压变换器,其特征在于,
所述第一开关模块为一个Mosfet,或为由多个Mosfet并联和/或串联的Mosfet电路,或为一个IGBT,或为由多个IGBT并联和/或串联的IGBT电路,或为一个开关器件,或为由多个开关器件并联和/或串联的开关电路。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华为技术有限公司,未经华为技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210018790.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。