[发明专利]高效多晶硅铸锭方法有效
申请号: | 201210015367.1 | 申请日: | 2012-01-17 |
公开(公告)号: | CN103205797A | 公开(公告)日: | 2013-07-17 |
发明(设计)人: | 王楠;郭大伟;王再东;霍帅 | 申请(专利权)人: | 北京京运通科技股份有限公司 |
主分类号: | C30B11/00 | 分类号: | C30B11/00;C30B28/06;C30B29/06 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100176 北京市通州*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高效 多晶 铸锭 方法 | ||
1.一种高效多晶硅铸锭方法,其特征在于,包括:
投料:将多晶硅料装入坩埚中;
抽空检漏:将装有多晶硅料的坩埚投入铸锭炉内,合炉后进行抽真空检漏;
加热:检漏通过后开始通电加热,先以真空模式与进气控制升至200mbar气体模式交替的方式,将加热功率由0Kw逐步升至140Kw,再将功率保持在140Kw,利用进气控制使炉室内压力逐步升至600mbar,最后利用出气控制将炉室内压力保持在600mbar,温度升至1520℃以上;
熔化:在600mbar气体模式下,先将温度保持在1520℃以上,使多晶硅料稳定熔化,硅原料全部熔化后,将温度逐步降低至1450℃以下并保持温度的稳定;
长晶:在600mbar气体模式下,将温度逐步降低至1400℃-1410℃之间,同时将隔热笼逐步开启至15cm-25cm之间,使硅晶体以一定速度定向生长;
退火:在一定时间内,将隔热笼闭合,同时将温度降低至1400℃以下并在此温度保温一段时间,以消除硅锭内部热应力;
冷却:逐步打开隔热笼,将硅锭冷却至400℃以下,出炉。
2.根据权利要求1所述的高效多晶硅铸锭方法,其特征在于:所述退火步骤中,所述将温度降低至1400℃以下并在此温度保温一段时间,具体为:
将温度降低至1370℃并在此温度保温一段时间,该保温时间在3小时以内。
3.根据权利要求1所述的高效多晶硅铸锭方法,其特征在于:所述投料步骤具体为:将重量为480至520kg的多晶硅料装入870×870×480mm的方坩埚中。
4.根据权利要求1所述的高效多晶硅铸锭方法,其特征在于:所述投料步骤具体为:将重量为660至800kg的多晶硅料装入1050×1050×480mm的方坩埚中。
5.根据权利要求1所述的高效多晶硅铸锭方法,其特征在于:所述加热步骤中,所述利用出气控制将炉室内压力保持在600mbar,温度升至1520℃以上,具体为:
利用出气控制将炉室内压力保持在600mbar,温度升至1540℃。
6.根据权利要求1所述的高效多晶硅铸锭方法,其特征在于:所述熔化步骤中,所述将温度逐步降低至1450℃以下,具体为:
将温度逐步降低至1440℃。
7.根据权利要求1所述的高效多晶硅铸锭方法,其特征在于:所述长晶步骤中,所述将温度逐步降低至1400℃-1410℃之间,具体为:
将温度逐步降低至1410℃。
8.根据权利要求1所述的高效多晶硅铸锭方法,其特征在于:所述长晶步骤中,所述将隔热笼逐步开启至15cm-25cm之间,具体为:
将隔热笼逐步开启至20cm。
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