[发明专利]一种存储装置及选取该存储装置中区域位线的方法

说明书

技术领域

本发明的技术是关于高密度存储装置，特别是关于一种存储装置及选取该存储装置中区域位线的方法。

背景技术

当集成电路中的装置的临界尺寸缩减至通常存储单元技术的极限时，设计者则转而寻求存储单元的多重叠层平面技术以达成更高的储存密度，以及每一个比特较低的成本。举例而言，薄膜晶体管技术已经应用在电荷捕捉存储器之中，可参阅如赖等人的论文″A multi-Layer Stackable Thin-Film Transistor(TFT)NAND-Type Flash Memory″，IEEE Int′l Electron Device Meeting，2006年12月11～13日；及Jung等人的论文″Three Dimensionally Stack NAND Flash Memory Technology Using Stacking Single Crystal Si Layers on ILD and TANOS structure for Beyond 30nm Node″，IEEE Int′l Electron Device Meeting，2006年12月11～13日。

此外，交会点阵列技术也已经应用在反熔丝存储器之中，可参阅如Johnson等人的论文″512-Mb PROM with a Three Dimensional Array of Diode/Anti-fuse Memory Cells″，IEEE J.of Solid-state Circuits，vol.38，no.11，2003年11月。在Johnson等人所描述的设计中，多层字线及位线被使用，其具有存储元件于交会点。此存储元件包含p+多晶硅阳极与字线连接，及n+多晶硅阴极与位线连接，而阴极与阳极之间由反熔丝材料分隔。

发明内容

此处所描述的技术是减少介于相邻整体位线与相邻位线结构间的电容性耦合负载。

本发明存储装置的第一范例包括存储单元区块具有多个阶层。每一阶层包括多个存储单元长条是延伸于存储单元区块的第一端与第二端间的一第一方向。每一阶层中的第一位线结构是位于存储单元区块的第一端。每一第一位线结构操作上是与在第一方向上延伸的第一存储单元长条耦接。每一阶层中的第二位线结构是位于存储单元区块的第二端。每一第二位线结构操作上是与在第二方向上延伸的第二存储单元长条耦接。多个位线对于第一方向上延伸，其至少包括串联的一第一、第二及一第三位线对，每一位线对包括一偶数位线及一奇数位线。奇数位线连接器将奇数位线与第二位线结构连接，而偶数位线连接器将偶数位线与第一位线结构连接。一串联位线对中的每一位线由邻接位线对中的一位线分隔。

在某些范例中的第一存储单元，第二位线对中的奇数位线位于第一位线对中的奇数位线与偶数位线之间，第一位线对中的偶数位线位于第二位线对中的奇数位线与偶数位线之间，及第二位线对中的偶数位线位于第一位线对中的偶数位线与第三位线对中的奇数位线之间，其中当奇数位线对与偶数位线对在读取时被分隔介于位线间的电容性耦合可以被减少。在某些范例中，在一系列奇数位线连接器中的间隔奇数位线连接器包含一横向转向部分，且在一系列偶数位线连接器中的间隔偶数位线连接器包含一横向转向部分。

在某些范例中的第一存储单元，该第一位线结构及该第二位线结构操作上由串行选择切换开关与该第一及该第二存储单元串行耦接。某些范例中包括多条字线及第一串行选择线与第二串行选择线组；多条字线中的字线安排成选取多个阶层中一个与该存储单元串行正交之对应存储单元平面，该组第一串行选择线安排成选取串行选择切换开关将对应的存储单元串行与多个阶层中的第一位线结构连接，该组第二串行选择线安排成选取串行选择切换开关将对应的存储单元串行与多个阶层中的第二位线结构连接。

本发明存储装置的第二范例包括存储单元区块具有多个阶层。每一阶层包括多个存储单元长条是延伸于存储单元区块的第一端与第二端间的一第一方向。每一阶层中的位线结构是位于存储单元区块的第一端及第二端。每一位线结构操作上是与存储单元长条耦接。多个位线对于第一方向上延伸，其至少包括串联的一第一、第二、一第三及一第四位线对。位线对具有端点于存储单元区块的第一端及第二端的位线结构之上。位线连接器于该存储单元区块的该第一端之上，以将该第二及第四位线对与该第一位线结构连接；该第二位线对的一位线连接器具有一横向转向区域大致延伸于该第一位线对的下方；以及该第四位线对的一位线连接器具有一横向转向区域大致延伸于该第三位线对的下方。