[发明专利]低共模噪声并网逆变电路及无功功率控制方法

权利要求书

1.一种并网逆变电路，其特征在于包括增强型降压斩波电路、可控硅换相电路、逆变电流采样电路、电压电流检测电路、可控整流器换相控制电路以及SPWM控制电路。

2.根据权利要求1所述的增强型降压斩波电路，其特征在于：包括功率开关Q1（MOSFET或IGBT）、功率开关Q2（MOSFET或IGBT），功率开关Q3（MOSFET或IGBT）二极管D1、二极管D2、二极管D3，电感L1，电感L2，电容C1和低频开关Q3，功率开关Q1漏极（或集电极）与直流电源正极和二极管D2阴极相接，其源极（或发射极）与电感L1一端、二极管D1阴极和二极管D3的阴极相接；功率开关管Q2漏极（或集电极）与二极管D2阳极、电感L2的一端和功率开关管Q3源极（或发射极）相连接，其源极（或发射极）与二极管D1的阳极、直流电源负极及低频开关的一端相接；功率开关管Q2漏极（或集电极）与功率开关管Q2的漏极（或集电极）、二极管D2的阳极和电感L2的一端相连接，其源极（或发射极）和二极管D3相连接；电感L1的一端与Q1的源极（或发射极）、二极管D1阴极和二极管D3的阴极相相接，另一端与换向电路中单向可控硅阳极和C1的一端相接；电感L2的一端与Q2漏极（或集电极）与D2的阳极相连接和功率开关管Q3的漏极（或集电极）相连接，另一端与可控硅阴极、电容C1相连接。

3.根据权利要求1所述的并网逆变电路，其特征在于：所述的可控硅换相电路包括4个单向可控硅S1~S4，可控硅S1与可控硅S2组成串联组，可控硅S3与可控硅S4组成串联组，两个串联组相并联，可控硅S1与可控硅S3的阳极相接，作为高电压输入端，可控硅S2与可控硅S4的阴极相接，作为低电压输出端；可控硅S1与可控硅S2的连接点和可控硅S3与可控硅S4的连接点分别作为单相交流输出端，接向单相电网或交流负载；可控硅S1与可控硅S4的驱动信号为一组，可控硅S2与可控硅S3的驱动信号为一组，导通时间各占半个工频周期;通过控制Q3的通断实现功率因数控制。

4.根据权利要求2所述的并网逆变电路，其特征在于：所述功率开关Q1、功率开关Q2和功率开关管Q3为高频开关管，选用器件为MOSEFT或IGBT。

5.根据权利要求3所述的并网逆变电路，其特征在于：所述可控硅S1~S4为低频开关管，选用器件为单向可控硅SCR或IGBT。

6.根据权利要求3所述的所述的功率因数控制，其特征在于：当逆变器输出有功功率时，增强型降压斩波电路只功率开关Q1和功率开关管Q2处于SPWM调制状态，使另外一个功率开关Q3处于常开状态，在Q1和Q2关断时，与二极管D3、电感L1和电感L2构成续流回路。

7.根据权利要求3所述的所述的功率因数控制，其特征在于：当逆变器进行无功功率调节时，只有功率开关管Q3处于SPWM调制状态，Q1、Q2处于常闭状态，当Q3同时关断时，D2、C2、D1、L1与换向电路构成续流回路，实现无功功率的控制。