[发明专利]荧光转换体、转换体制备方法及荧光转换体制成的LED无效
申请号: | 201210007172.2 | 申请日: | 2012-01-11 |
公开(公告)号: | CN102559176A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 黄金昭;梁伟;徐锡金;邵明辉 | 申请(专利权)人: | 济南大学 |
主分类号: | C09K11/59 | 分类号: | C09K11/59;H01L33/50 |
代理公司: | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人: | 秦雯 |
地址: | 250022 *** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 荧光 转换 体制 方法 led | ||
1.一种荧光转换体,其特征在于:所述荧光转换体包括红色氮化物荧光转换体和绿色氮氧化物荧光转换体,所述红色氮化物荧光转换体峰值发射波长600 nm-650 nm,所述绿色氮氧化物荧光转换体峰值发射波长530 nm-580 nm。
2.按照权利要求1所述的荧光转换体,其特征在于:所述红色氮化物荧光转换体化学式为:M5Si2N6:D,所述绿色氮氧化物荧光转换体化学式为M3Si2O4N2:D,其中M为Sr, Ba, Ca中的一种或几种,D为Eu2+或Ce3+。
3.按照权利要求1或2所述的荧光转换体制备方法,其特征在于:所述荧光转换体制备方法包括红色氮化物荧光转换体和绿色氮氧化物荧光转换体制备方法,其中,所述红色氮化物荧光转换体制备方法步骤是:
(11)以A 3N2、Si3N4、Eu2O3为原料,按化学计量比取原料,然后均匀混料,真空干燥;
(12)将上述步骤后所得的原料在有助燃剂的情况下,在氮气氛中进行高温煅烧;
(13)将所述煅烧后的产物进行后处理,得到所述红色氮化物荧光转换体;
所述绿色氮氧化物荧光转换体制备方法步骤是:
(21)以ACO3、Si3N4、SiO2、Eu2O3为原料,按化学计量比取原料,然后均匀混料,真空干燥;
(22)将上述步骤后所得的原料在有助燃剂的情况下,在氮气氛中进行高温煅烧;
(23)将所述煅烧后的产物进行后处理,得到所述绿色氮氧化物荧光转换体;A为Ca、Sr或Ba。
4.按照权利要求3所述的荧光转换体制备方法,其特征在于:所述高温煅烧煅烧温度在1400℃-1600℃之间。
5.按照权利要求2所述的荧光转换体制备方法,其特征在于:所述后处理包括粉碎、除杂、烘干、分级。
6.一种由荧光转换体制成的LED,其特征在于:所述LED包括模具,设置在所述模具内的InGaN蓝芯片和同样设置在所述模具内的按照比例混合的环氧树脂与发光材料,其中,环氧树脂为80-90%,发光材料为10-20%,所述百分比为重量百分比。
7.按照权利要求5所述的荧光转换体制成的LED,其特征在于:所述发光材料包括红色氮化物荧光转换体和绿色氮氧化物荧光转换体。
8.按照权利要求6或7所述的荧光转换体制成的LED,其特征在于:所述发光体中红色氮化物荧光转换体和绿色氮氧化物荧光转换体混合比例与所述InGaN蓝芯片波长和亮度,由混色公式计算决定。
9.按照权利要求8所述的荧光转换体制成的LED,其特征在于:对封装后的LED施以电流后,发光体和所述InGaN蓝芯片发出的光混合后为白光,所述电流的大小以所述LED正常发光为准。
10.按照权利要求6或7所述的荧光转换体制成的LED,其特征在于:所述InGaN蓝芯片峰值发射波长为430 nm-500 nm。
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