[发明专利]由薄膜温差电材料制造的叠层结构微型温差电器件及制造方法

权利要求书

1.一种由薄膜温差电材料制造的叠层结构微型温差电器件，其特征在于，其中的n型温差电腿(7)和p型温差电腿(8)是由薄膜温差电材料一层一层堆砌而成，温差电腿中堆砌的薄膜温差电材料的层数需根据对微型温差电器件的性能要求而定，通过n型温差电腿(7)和p型温差电腿(8)之间的电串联或者电并联，形成微型温差电器件。

2.根据权利要求1所述的一种由薄膜温差电材料制造的叠层结构微型温差电器件，其特征在于，所述的叠层结构微型温差电器件，具体结构还包括正极引出端(1)、负极引出端(2)、外部封装层(3)、导热连接层(4)、硬质外壳(5)、顶部导电连接层(6)、n型温差电腿(7)、p型温差电腿(8)、温差电腿间的填充物(9)、底部导电连接层(12)、过渡层(13)、阻挡层(14)。

3.如权利要求1所述的一种由薄膜温差电材料制造的叠层结构微型温差电器件，其特征在于，所述的n型温差电腿(7)是由多层组成及结构均相同的n型薄膜温差电材料一层一层堆砌形成，或者由多层组成或者结构不同的n型薄膜温差电材料一层一层堆砌形成，或者由多层组成及结构相同的n型薄膜温差电材料与多层组成或者结构不同的n型薄膜温差电材料相互交替着一层一层堆砌形成；所述的p型温差电腿(8)是由多层组成及结构均相同的p型薄膜温差电材料一层一层堆砌形成，或者由多层组成或者结构不同的p型薄膜温差电材料一层一层堆砌形成，或者由多层组成及结构相同的p型薄膜温差电材料与多层组成或者结构不同的p型薄膜温差电材料相互交替着一层一层堆砌形成。

4.如权利要求1所述的一种由薄膜温差电材料制造的叠层结构微型温差电器件，其特征在于，所述的n型温差电腿(7)和p型温差电腿(8)的横截面形状可以是规则的也可以是不规则的；n型温差电腿及p型温差电腿需按一定的规则排列，以实现n型温差电腿与p型温差电腿之间的电串联或者电并联；构成n型温差电腿(7)和p型温差电腿(8)的各层薄膜温差电材料的形状、面积以及厚度可以相同也可以不同；构成n型温差电腿(7)的材料可以是应用于高温区的n型薄膜温差电材料，如SiGe系材料、CrSi₂、MnSi_1.73、CoSi、Ge_0.3Si_0.7、Na_xCo_x/2Ti_1-x/2O₂、Na_xNi_x/2Ti_1-x/2O₂、Na_xFe_x/2Ti_1-x/2O₂、AlxZnO、Ag_1-xPb₁₈SbTe₂₀、Ba_1-xSr_xPbO₃、SrAl₂Si₂等，也可以是应用于中温区的n型薄膜温差电材料，如PbTe系材料、Bi₂(GeSe)₃、CoSb₃Sm_x、CoSb₃Pr_x、FeVSb、Zr_0.5HF_0.5NiSn、TiNiSn、ZrNiSn、HfNiSn、ZrCoSb、HfCoSb、TiCoSb、Ce_yFe_4-xCo_xSb₁₂、La_yFe_4-xCo_xSb₁₂、Ba_yFe_4-xCo_xSb₁₂、Fe_0.5Ni_0.5Sb₃、FeSb₂Te、Mg₂Si_1-xSn_x、HoCoO₃、LaCoO₃、Zn₄Sb₃、Ag_2-ySb_yTe_1+y、Eu_xPb_1-xTe、Bi(SiSb)₂、Bi₂(GeSe)₃、Ba_0.3Ni_xCo_4-xSb₁₂、AgPb₁₀SbTe₁₂、AgPb₁₈SbTe₂₀等，也 可以是应用于低温区的n型薄膜温差电材料，如n型Bi₂Te₃系材料、Bi₂Te_2.7Se_0.3、Bi₂Sb₃Ce_x、Bi₂Sb₃Nd_x、Bi₂Sb₃Re_x、Bi₂Sb₃La_x、ZnSb、HgTe、Bi₂Se₃、CdInO4、La_1-xSr_xCuO_3-y、Sb2Se3系材料、Zr_0.5Hf_0.5NiSn、n型Bi₂Te₃/Sb₂Te₃纳米超晶格，等；构成p型温差电腿(8)的材料可以是应用于高温区的p型薄膜温差电材料，如SiGe系材料、FeSi₂、Fe_0.9Mn_0.1Si₂、Ca₃Co_4-xAg_xO₉、Ca_1-xSm_xMnO₃、Ca_2.5Yb_0.5Co₄O₉、Ca2CoO3等，也可以是应用于中温区的p型薄膜温差电材料，如PbTe系材料、Bi(SiSb2)、GeTe、SbTe、Al₇₁Pb₂₀Re₉、(GeTe)_x(Mn_aSn_1-aTe)_1-x、FeV_1-xTi_xSb、HoPdSb、ErPdSb、DyPdSb、Ce_fFe_4-xCo_xSb₁₂和La_fFe_4-xCo_xSb₁等，也可以是应用于低温区的p型薄膜温差电材料，如p型Bi₂Te₃系材料、Sb₂Se₃系材料/Sb₂Te₃、Bi_0.5Sb_1.5Te₃、Bi_xPb_2-xTe₃、Bi_2-xCd_xTe₃、Bi_xSn_2-xTe₃、FeV_0.85Ti_0.15Sb、p型Bi₂Te₃/Sb₂Te₃纳米超晶格等。