[发明专利]自调压LED智能模块无效

专利信息
申请号: 201210005238.4 申请日: 2012-01-10
公开(公告)号: CN102573233A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 张从峰 申请(专利权)人: 张从峰
主分类号: H05B37/02 分类号: H05B37/02
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 许方
地址: 210000 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 调压 led 智能 模块
【权利要求书】:

1.一种自调压LED智能模块,其特征在于:包括两个LED功率单元、两个开关单元、单向导通回流单元、控制单元、两个电流采样单元和输入电压采样单元,其中,第一LED功率单元的输入端分别连接输入电源的正极和第一开关单元的一端,输出端则分别连接第二开关单元的一端和单向导通回流单元的输入端,所述第二开关单元的另一端连接第一电流采样单元的一端;第一开关单元的另一端与单向导通回流单元的输出端连接,并共同连接第二LED功率单元的输入端;所述第二LED功率单元的输出端连接第二电流采样单元的一端,且第一、二电流采样单元的另一端连接,并共同连接输入电源的负极;所述输入电压采样单元与输入电源并联;控制单元接收第一、二电流采样单元和输入电压采样单元的采样值,并据此分别控制第一、二开关单元的开关状态及占空比。

2.如权利要求1所述的自调压LED智能模块,其特征在于:所述LED功率单元为单个LED,或至少两个LED组成的串联或并联结构。

3.如权利要求1所述的自调压LED智能模块,其特征在于:所述开关单元为机械开关或开关电路。

4.如权利要求3所述的自调压LED智能模块,其特征在于:所述开关电路由MOSFET、IGBT、JFET、可控硅、晶闸管或三极管构成。

5.如权利要求1所述的自调压LED智能模块,其特征在于:所述单向导通回流单元为二极管或开关状态由控制单元控制的单向导通电路。

6.如权利要求5所述的自调压LED智能模块,其特征在于:所述单向导通电路由MOSFET、IGBT、JFET、晶闸管、可控硅或三极管组成。

7.如权利要求1所述的自调压LED智能模块,其特征在于:所述电流采样单元为采样电阻、半导体电流采样器、电流互感器或霍尔传感器。

8.如权利要求1所述的自调压LED智能模块,其特征在于:所述控制单元为一个,其驱动信号端分别连接第一、二开关单元的控制端;输入电压采样单元采用由两个电阻串联而成的分压电路,所述分压电路的一端连接第一LED功率单元的输入端,另一端连接第一电流采样单元的另一端,且两个电阻的连接点连接控制单元的电压采样端。

9.如权利要求1所述的自调压LED智能模块,其特征在于:所述控制单元为内置或外置,且外置控制单元通过隔离驱动单元对第一、二开关单元进行控制。

10.如权利要求9所述的自调压LED智能模块,其特征在于:所述隔离驱动单元为隔离变压器、光电耦合器件、半导体高频隔离驱动器或非隔离驱动器。

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