[发明专利]一种隔离直流双向变换器有效

专利信息
申请号: 201210002151.1 申请日: 2012-01-05
公开(公告)号: CN102570831A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 阮世良 申请(专利权)人: 深圳市高斯宝电气技术有限公司
主分类号: H02M3/335 分类号: H02M3/335;H02M7/797
代理公司: 深圳市兴科达知识产权代理有限公司 44260 代理人: 王翀
地址: 518000 广东省深圳市宝安区西乡街*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 隔离 直流 双向 变换器
【权利要求书】:

1.一种隔离直流双向变换器,其特征在于,包括:DSP、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、变压器、隔离驱动单元、隔离单元、电感、电解电容,其中,变压器包括一个原边绕组和两个副边绕组;

第一MOS管和第二MOS管的漏极分别接高压端,第一MOS管的源极和第三MOS管的漏极连接,第二MOS管的源极和第四MOS管的漏极连接,第三MOS管和第四MOS管的源极分别接地;DSP的其中一个驱动端通过隔离驱动单元分别与第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管的栅极连接,DSP的其中一个电压检测端通过隔离单元与高压端连接,另一个电压检测端与低压端连接,DSP的电流检测端连接在第五MOS管的源极和地的连接点之间;

变压器的原边绕组的其中一端与第二MOS管和第四MOS管的连接点连接,另一端与第一MOS管和第三MOS管的连接点连接;电感的一端与两个副边绕组的连接点连接,另一端分别接低压端和电解电容的正极,电解电容的负极接地;DSP的另一个驱动端分别与第五MOS管和第六MOS管的栅极连接,第五MOS管的漏极与其中一个副边绕组连接,第五MOS管和第六MOS管的源极分别接地,第六MOS管的漏极与另一个副边绕组连接;

当能量从高压端流向低压端时,DSP通过隔离驱动单元驱动第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管进行全桥移相变换,并驱动第五MOS管和第六MOS管进行同步整流;当能量从低压端流向高压端时,DSP驱动第五MOS管和第六MOS管进行推挽变换,并驱动第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管进行同步整流。

2.根据权利要求1所述的隔离直流双向变换器,其特征在于:还包括第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管;

第一二极管的阴极与第一MOS管的漏极连接,阳极与第一MOS管的源极连接;第二二极管的阴极与第二MOS管的漏极连接,阳极与第二MOS管的源极连接;第三二极管的阴极与第三MOS管的漏极连接,阳极与第三MOS管的源极连接;第四二极管的阴极与第四MOS管的漏极连接,阳极与第四MOS管的源极连接。

3.根据权利要求1或2所述的隔离直流双向变换器,其特征在于:还包括第五二极管和第六二极管;

第五二极管的阴极与第五MOS管的漏极连接,阳极与第五MOS管的源极连接;第六二极管的阴极与第六MOS管的漏极连接,阳极与第六MOS管的源极连接。

4.根据权利要求1或2所述的隔离直流双向变换器,其特征在于:所述隔离单元或隔离驱动单元采用线性光耦隔离。

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