[发明专利]薄膜电容器的制造方法及通过该方法得到的薄膜电容器

权利要求书

1.一种薄膜电容器的制造方法，包含：在基板上形成绝缘体膜的工序；在所述绝缘体膜上层叠粘附层的工序；在所述粘附层上形成下部电极的工序；将薄膜形成前驱体溶液涂布于所述下部电极上并进行干燥，从而形成涂膜的工序，所述薄膜形成前躯体溶液用于形成选自钛酸铅、锆钛酸铅、添加第三种成分的锆钛酸铅、添加镧的锆钛酸铅及添加第四种成分和镧的锆钛酸铅中的1种的介电薄膜，其中，钛酸铅为PT、锆钛酸铅为PZT、添加第三种成分的锆钛酸铅为三元系PZT、添加镧的锆钛酸铅为PLZT、添加第四种成分和镧的锆钛酸铅为四元系PLZT；通过烧成形成有所述涂膜的基板来形成介电薄膜的工序；及在所述介电薄膜上形成上部电极的工序，其特征在于，

形成所述下部电极之后，不进行高于300℃的温度的退火处理而将所述前躯体溶液涂布于所述下部电极上，

以室温～450℃范围内的预定温度进行所述干燥，

以高于所述干燥温度的450～800℃范围内的预定温度进行所述烧成，

所述从涂布至烧成的工序中，进行1次或2次以上所述从涂布至烧成的工序，或者进行2次以上所述从涂布至干燥的工序之后，进行1次烧成，

初次烧成后形成的介电薄膜的厚度设为20～600nm。

2.如权利要求1所述的薄膜电容器的制造方法，其中，

下部电极的厚度与初次烧成后形成的介电薄膜的厚度之比，即下部电极的厚度/介电薄膜的厚度设为0.10～15.0的范围。

3.一种支承体，在权利要求1或2所述的制造方法中使用，其中，

所述支承体具有：基板；绝缘体膜，形成于所述基板上；及下部电极，通过粘附层形成于所述绝缘体膜上，

所述下部电极中的平均晶体粒径为100nm以下，并且优先取向于(111)面、(001)面或(110)面，

所述下部电极的残余应力为-2000～-100MPa，

所述下部电极的厚度为50～600nm。

4.一种电子器件，具备通过权利要求1或2所述的制造方法得到的薄膜电容器。