[发明专利]热式流量计

权利要求书

1.一种热式流量计的制造方法，所述热式流量计具有：

形成于半导体基板的空洞部；

以覆盖所述空洞部的方式设置的由绝缘膜形成的薄膜部；和

形成在所述绝缘膜之间的发热电阻体和测温电阻体，所述热式流量计的制造方法的特征在于：

在形成所述薄膜部后对所述薄膜部加热，进行使所述发热电阻体和所述测温电阻体的晶体粒径生长的热处理。

2.如权利要求1所述的热式流量计的制造方法，其特征在于：

所述热处理为通过对所述发热电阻体通电将所述发热电阻体加热到高温，使所述发热电阻体和所述测温电阻体的晶体粒径生长的热处理。

3.如权利要求1所述的热式流量计的制造方法，其特征在于：

在所述薄膜部设置有第二发热电阻体，

所述热处理为通过对所述第二发热电阻体通电来加热所述第二发热电阻体，使所述发热电阻体和所述测温电阻体的晶体粒径生长的热处理。

4.如权利要求1所述的热式流量计的制造方法，其特征在于：

具有在所述半导体基板上形成第二薄膜部的工序，

在所述第二薄膜部形成有第二测温电阻体，

在形成所述第二薄膜部后，进行对所述第二薄膜部加热，使所述第二测温电阻体的晶体粒径生长的热处理。

5.如权利要求4所述的热式流量计的制造方法，其特征在于：

在所述第二薄膜部设置有第二发热电阻体，进行通过对所述第二发热电阻体通电来加热所述第二薄膜部，使所述第二发热电阻体的晶体粒径生长的热处理。

6.一种热式流量计，其具有：形成于半导体基板的空洞部；以覆盖所述空洞部的方式设置的由绝缘膜形成的薄膜部；和形成在所述绝缘膜之间的发热电阻体和测温电阻体，所述热式流量计的特征在于：

具备与所述发热电阻体连接并且延伸设置至所述薄膜部的外侧的引出配线部，

所述引出配线部的位于所述薄膜部的外侧的部分的电阻温度系数小于所述发热电阻体的电阻温度系数，并且

所述引出配线部的位于所述薄膜部的外侧的部分的电阻率大于所述发热电阻体的电阻率。

7.如权利要求6所述的热式流量计，其特征在于：

在所述薄膜部设置有第二发热电阻体，并且设置有用于对所述第二发热电阻体通电的通电焊盘。

8.如权利要求6所述的热式流量计，其特征在于：

在所述半导体基板上形成有第二薄膜部，

所述第二薄膜部形成有第二测温电阻体，

具备与所述第二测温电阻体连接并且延伸设置至所述第二薄膜部的外侧的第二引出配线部，

所述第二引出配线部的位于所述第二薄膜部的外侧的部分的电阻温度系数小于所述第二测温电阻体的电阻温度系数，并且

所述第二引出配线部的位于所述第二薄膜部的外侧的部分的电阻率大于所述第二测温电阻体的电阻率。

9.如权利要求8所述的热式流量计，其特征在于：

所述第二薄膜部形成有第二发热电阻体，

具备与所述第二发热电阻体连接并且延伸设置至所述第二薄膜部的外侧的第三引出配线部，

所述第三引出配线部的位于所述第二薄膜部的外侧的部分的电阻温度系数小于所述第二发热电阻体的电阻温度系数，并且

所述第三引出配线部的位于所述第二薄膜部的外侧的部分的电阻率大于所述第二发热电阻体的电阻率。

10.如权利要求6～9中的任一项所述的热式流量计，其特征在于：

在所述半导体基板上设置有包括进行驱动、检测、信号处理的半导体晶体管的集成电路。

11.如权利要求10所述的热式流量计，其特征在于：

所述半导体基板配置在引线框上，

所述半导体基板和所述引线框由模塑件模塑而成。