[发明专利]磁体再循环在审
申请号: | 201180057908.0 | 申请日: | 2011-12-02 |
公开(公告)号: | CN103270181A | 公开(公告)日: | 2013-08-28 |
发明(设计)人: | 安德鲁·威廉姆斯(死亡);I·雷克斯·哈里斯;约翰·史佩特;艾伦·沃尔顿 | 申请(专利权)人: | 伯明翰大学 |
主分类号: | C22B7/00 | 分类号: | C22B7/00;C22B59/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王铁军 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 英国;GB |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磁体 再循环 | ||
1.一种用于从含有稀土磁体的组装件回收稀土粒状材料的方法,所述方法包括以下步骤:
将所述组装件暴露在氢气中,以实现所述稀土磁体的氢爆裂,从而制备稀土粒状材料,以及
将所述稀土粒状材料与所述组装件的剩余部分分离。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述稀土磁体是NdFeB或SmCo。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法,其中,所述磁体在所述爆裂过程期间被消磁。
4.根据任一项在前权利要求所述的方法,其中,通过加热或通过将磁场反向而将所述磁体消磁。
5.根据任一项在前权利要求所述的方法,其中,将所述组装件暴露在氢与一种或多种惰性气体的混合物中。
6.根据任一项在前权利要求所述的方法,其中,将所述组装件暴露在含有不大于10%的氢的气氛中。
7.根据任一项在前权利要求所述的方法,所述方法还包括以下的初始步骤:在将所述组装件暴露在所述氢气中之前打开所述组装件,以促进所述稀土磁体在所述氢中的暴露。
8.根据权利要求5所述的方法,其中,所述的打开所述组装件的初始步骤包括破坏性地处理所述组装件。
9.根据权利要求8所述的方法,其中,在不存在氧的情况下进行所述组装件的所述破坏性处理。
10.根据权利要求5或权利要求6所述的方法,其中,在将所述组装件暴露在氢气中的同时,破坏性地处理所述组装件。
11.根据任一项在前权利要求所述的方法,其中,氢气的压力为1毫巴至100巴。
12.根据任一项在前权利要求所述的方法,其中,在不大于600℃的温度进行所述爆裂过程。
13.根据任一项在前权利要求所述的方法,其中,将所述组装件在氢气中暴露10分钟至2周的时间段。
14.根据任一项在前权利要求所述的方法,所述方法还包括将由所述爆裂过程产生的所述稀土粒状材料与剩余的组装件组分分离的步骤。
15.根据权利要求14所述的方法,其中,所述稀土粒状材料的分离通过摇动、振动、筛分、翻滚或利用离心力进行。
16.根据任一项在前权利要求所述的方法,所述方法还包括脱气以从所述稀土粒状材料中除去氢的步骤。
17.根据权利要求16所述的方法,其中,通过将所述粒状材料加热进行脱气。
18.根据权利要求17所述的方法,其中,在不大于800℃的温度进行脱气。
19.根据权利要求2至18中任一项所述的方法,其中,所述稀土磁体是Sm2Co17,且在至少70℃的温度和/或至少7巴的压力进行所述爆裂过程。
20.根据权利要求1至18中任一项所述的方法,其中,所述方法用于从含有NdFeB或SmCo5磁体和Sm2Co17磁体的组装件中回收NdFeB或SmCo5粒状材料,所述方法包括以下步骤:
在仅仅足以实现NdFeB或SmCo5磁体的氢爆裂的温度和压力,将所述组装件暴露在氢气中,从而制备NdFeB或SmCo5粒状材料,和
将所述NdFeB或SmCo5粒状材料与所述组装件的剩余部分分离。
21.根据任一项在前权利要求所述的方法,其中,所述稀土磁体具有涂层,并且将所述组装件暴露在氢气中以实现氢爆裂导致除了产生稀土粒状材料之外还产生涂层颗粒,所述方法还包括将所述涂层颗粒与所述稀土粒状材料分离的步骤。
22.根据权利要求21所述的方法,其中,所述涂层颗粒的至少一些与氧化的稀土粒状材料结合。
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