[发明专利]用于电子器件的栅绝缘层

权利要求书

1.与电子器件中的半导体层接触的栅绝缘层，所述栅绝缘层包括聚环烯烃聚合物或包含聚环烯烃聚合物的聚合物组合物。

2.根据权利要求1的栅绝缘层，其中聚环烯烃聚合物是降冰片烯类聚合物。

3.根据权利要求1或2的栅绝缘层，其中聚环烯烃聚合物包括具有可交联侧基的第一类重复单元。

4.根据权利要求3的栅绝缘层，其中所述可交联侧基是潜在可交联基团。

5.根据权利要求3或4的栅绝缘层，其中所述可交联侧基是马来酰亚胺、3-单烷基马来酰亚胺、3，4-二烷基马来酰亚胺、环氧基团、乙烯基、乙酰基、茚基、肉桂酸酯或香豆素基团，或者所述可交联侧基包括取代的或未取代的马来酰亚胺部分、环氧化物部分、乙烯基部分、肉桂酸酯部分或香豆素部分。

6.根据权利要求3到5中的一项或多项的栅绝缘层，其中具有可交联侧基的第一类重复单元衍生自以下单体中的任意一种：

其中n为1到8的整数，Q¹和Q²各自独立地为-H或-CH₃，且R′是-H或-OCH₃。

7.根据上述权利要求中的一项或多项的栅绝缘层，其中所述聚环烯烃聚合物包括与第一类重复单元不同的第二类重复单元。

8.根据权利要求1到7中的一项或多项的栅绝缘层，其中所述聚环烯烃聚合物包括一种或多种类型的式I的重复单元：

其中Z选自-CH₂-、-CH₂-CH₂-或-O-，m是0到5的整数，R¹、R²、R³和R⁴中的每个独立地选自H、C₁到C₂₅的烃基、C₁到C₂₅的卤代烃基或C₁到C₂₅的全卤代碳基。

9.根据权利要求1到7中的一项或多项的栅绝缘层，其中聚环烯烃聚合物包括一种或多种类型的式I的重复单元和一种或多种类型的式II的重复单元：

其中Z选自-CH₂-、-CH₂-CH₂-或-O-，m是0到5的整数，R¹R²、R³和R⁴以及R⁵、R⁶、R⁷和R⁸中的每个独立地选自H、C₁到C₂₅的烃基、C₁到C₂₅的卤代烃基或C₁到C₂₅的全卤代碳基，且其中式I的重复单元与式II的重复单元不同。

10.根据权利要求8或9中的一项或多项的栅绝缘层，其中式I和式II的重复单元各自独立地通过选自由以下子式组成的组的降冰片烯类单体形成：

其中“Me”表示甲基，“Et”表示乙基，“OMe-p”表示对甲氧基，“Ph”和“C₆H₅”表示苯基，“C₆H₄”表示亚苯基，“C₆F₅”表示全氟苯基，“OAc”表示乙酸酯，“PFAc”表示-OC(O)-C₇F₁₅，且对于以上子式中的每个具有亚甲基桥基，该亚甲基桥基包括共价键或-(CH₂)_p-，且p是1到6的整数。

11.根据权利要求1到10中的一项或多项的栅绝缘层，其中所述聚合物组合物包括第一聚环烯烃聚合物和第二环烯烃聚合物的共混物。