[发明专利]多晶金刚石

权利要求书

1.一种用于制造多晶金刚石（PCD）结构的方法，所述方法包括提供烧结碳化物基材，所述烧结碳化物基材包含由烧结材料烧结在一起的碳化物颗粒；使所述基材经受第一压力处理；处理所述基材以便从邻近由所述基材限定的边界的所述基材至少一个区域中除去至少一些烧结材料；使所述基材经受第二压力处理，在所述边界处与含金刚石的结构接触或结合至含金刚石结构。

2.如权利要求1所述的方法，其中在至少1GPa的压力和至少1000°C的温度下实施所述第一压力处理。

3.如权利要求1或2所述的方法，其中由所述基材限定的边界为非平面的。

4.如上述权利要求中任一项所述的方法，还包括在所述第一压力处理期间，使所述含金刚石结构结合至所述基材，或使所述含金刚石结构与所述基材整体形成。

5.如上述权利要求中任一项所述的方法，其中所述含金刚石结构包含金刚石颗粒的聚集体。

6.如上述权利要求中任一项所述的方法，其中所述含金刚石结构包含PCD结构。

7.如上述权利要求中任一项所述的方法，其包括使所述烧结碳化物基材经受第一压力处理；处理所述基材以便从邻近由所述基材限定的边界的所述基材至少一个区域中除去至少一些所述烧结材料；在所述边界处使PCD结构与所述基材接触，以形成前驱体组件，使所述前驱体组件经受第二压力处理。

8.如上述权利要求中任一项所述的方法，其包括处理所述含金刚石结构以便从其中的至少一个区域中除去至少一些金刚石金属催化剂。

9.如上述权利要求中任一项所述的方法，其包括处理所述PCD结构以便从所述基材中除去烧结材料。

10.如上述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述第二压力处理包括使所述基材和所述含金刚石结构经受至少约5.5GPa的压力和和至少约1200°C的温度。

11.一种使用上述权利要求中任一项所述方法制造的PCD结构。

12.一种制造基本上如上文所描述的参考如所附附图说明的任何一个实施例的多晶金刚石（PCD）结构的方法。