[发明专利]SPR传感器元件和SPR传感器无效
| 申请号： | 201180029880.X | 申请日： | 2011-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN102939530A | 公开（公告）日： | 2013-02-20 |
| 发明（设计）人： | 绀谷友广 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | G01N21/27 | 分类号： | G01N21/27 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | spr 传感器 元件 | ||
【权利要求书】：
1.一种SPR传感器元件，其具有与样品相接触的光波导路，其特征在于，
上述光波导路具有：
下包层；
芯层，其以至少一部分从上述下包层暴露的方式设置在上述下包层；以及
金属颗粒层，其覆盖从上述下包层暴露的上述芯层并与上述样品相接触。
2.根据权利要求1所述的SPR传感器元件，其特征在于，
上述金属颗粒层覆盖从上述下包层暴露的上述芯层的表面积的15％～60％。
3.根据权利要求2所述的SPR传感器元件，其特征在于，
形成上述金属颗粒层的金属颗粒的平均粒径为5nm～300nm。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的SPR传感器元件，其特征在于，
上述光波导路还具有以围绕与上述金属颗粒层相接触的样品的方式形成在上述下包层上的上包层。
5.一种SPR传感器，其具有SPR传感器元件，其特征在于，
上述SPR传感器元件包括与样品相接触的光波导路，
上述光波导路具有：
下包层；
芯层，其以至少一部分从上述下包层暴露的方式设置在上述下包层；以及
金属颗粒层，其覆盖从上述下包层暴露的上述芯层并与上述样品相接触。
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