[发明专利]铜离子修饰的氧化钨光催化剂和其制造方法有效
| 申请号： | 201180009794.2 | 申请日： | 2011-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN102762302A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 细木康弘 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | B01J35/02 | 分类号： | B01J35/02;B01J37/08 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 李照明;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 离子 修饰 氧化钨 光催化剂 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种铜离子修饰的氧化钨光催化剂，其特征在于，其是通过碱性水溶液进行化学蚀刻处理而成的，且大气中的紫外线照射前后的700nm波长的漫反射率的变化率小于10%。
2.如权利要求1所述的铜离子修饰的氧化钨光催化剂，铜离子来自氯化铜(II)。
3.如权利要求1所述的铜离子修饰的氧化钨光催化剂，被以金属换算为0.01～0.06质量％的铜离子修饰。
4.如权利要求1所述的铜离子修饰的氧化钨光催化剂，所述化学蚀刻处理后的BET比表面积为9.0m2/g以上。
5.一种铜离子修饰的氧化钨光催化剂的制造方法，其特征在于，包含以下工序：
使铜离子修饰氧化钨粉末的铜离子修饰工序，
在该铜离子修饰工序之前或之后，将氧化钨粉末用碱性水溶液进行化学蚀刻处理的化学蚀刻工序，以及
在这些工序后，在200℃以下进行干燥的干燥工序。
6.如权利要求5所述的铜离子修饰的氧化钨光催化剂的制造方法，在铜离子修饰工序后包含化学蚀刻工序。
7.如权利要求5所述的铜离子修饰的氧化钨光催化剂的制造方法，碱性水溶液是氨水溶液。
8.如权利要求5所述的铜离子修饰的氧化钨光催化剂的制造方法，所述碱性水溶液是三乙胺水溶液。
9.如权利要求5所述的铜离子修饰的氧化钨光催化剂的制造方法，碱性水溶液的pH值为8.5～10.5。
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