[实用新型]一种电源系统及应用于电源系统中的N阱电位切换电路有效

专利信息
申请号: 201120571569.5 申请日: 2011-12-31
公开(公告)号: CN202475242U 公开(公告)日: 2012-10-03
发明(设计)人: 程珍娟 申请(专利权)人: 国民技术股份有限公司
主分类号: H02M1/44 分类号: H02M1/44
代理公司: 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 代理人: 杨立
地址: 518057 广东省深圳市南山区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 电源 系统 应用于 中的 电位 切换 电路
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种低噪声电源系统领域,更具体的说,涉及一种在电源系统中的N阱电位切换电路、一种电源系统。

背景技术

在射频以及高精度要求的系统中,均有低噪声指标要求。为了降低噪声干扰,射频模块的电源不会直接由外部电源提供,而是经过低压差线性稳压器(low dropout regulator,LDO)电路,转换成低噪声、高电源抑制比(Power supply rejection ration,PSRR)的电源。在对噪声要求更加苛刻的系统中,电源系统的电源会通过多级调整,一般两级LDO电路串联之后再给噪声敏感的模块供电。在用PMOS功率管做调整管的LDO电路中,为了避免LDO电源不确定时,PMOS的N阱电位没有在较高电平,而导致漏端和N阱形成的PN结导通和N阱噪声耦合恶化电源噪声,而提出了PMOS的N阱电位切换技术。

为了避免PN结导通,N阱电位一般是系统中的最高电位,在单级或者多级降压电路中,为了避免LDO电源不确定,PMOS的N阱电位通常会直接连接到外部电源VDD。在LDO电路中PMOS器件为提供大电流的调整管,因此PMOS器件的尺寸会比较大,PMOS器件的源或者漏端到N阱的寄生电容也会比较大,如果PMOS的N阱电位直接连接外部电源,噪声很容易通过Cdb(漏衬底端等效电容)或者Csb(源衬底端等效电容)耦合到LDO的输出电压端,而影响LDO的输出电压噪声。

发明内容

为了解决低噪声的多级电源系统中,N阱电位不确定导致的PN结漏电问题,以及避免N阱寄生电容耦合噪声到电源而恶化电源噪声的问题,本实用新型提出了一种N阱电位切换电路、一种电源系统以及一种N阱电位切换电路在低噪声电源系统的应用。

一种应用于电源系统中的N阱电位切换电路,所述电源系统包括第一低压差线性稳压器、第二低压差线性稳压器、第三低压差线性稳压器和N阱电位切换电路,第一低压差线性稳压器和第二低压差线性稳压器分别连接该系统的供电电源并分别输出第一电压和第二电压,第三低压差线性稳压器以所述第一电压为输入电源并输出第三电压;在第三低压差线性稳压器工作稳定前,以所述第二电压作为所述电源系统的输出电压,在第三低压差线性稳压器工作稳定后,以第三电压作为所述电源系统的输出电压;其特征在于,所述N阱电位切换电路比较并选择所述第一电压和所述电源系统的输出电压中的较高者,将比较结果电压输出到第三低压差线性稳压器,所述的N阱电位切换电路包括第一PMOS器件和第二PMOS器件,其中第一PMOS器件的源极和栅极分别接所述第一低压差线性稳压器和所述低噪声电源系统的输出端,第二PMOS器件的源极和栅极分别接所述低噪声电源系统的输出端和所述第一低压差线性稳压器,第一PMOS器件的漏极和第二PMOS器件的漏极接第三低压差线性稳压器中的PMOS功率管的SUB电压端;或者,所述的N阱电位切换电路包括第一NMOS器件和第二NMOS器件,其中第一NMOS器件的漏极和栅极接所述第一低压差线性稳压器,第二NMOS器件的漏极和栅极接所述低噪声电源系统的输出端,第一NMOS器件的源极和第二NMOS器件的源极接第三低压差线性稳压器中的PMOS功率管的SUB电压端,第一NMOS器件和第二NMOS器件的衬底接地。

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