[实用新型]用于真空溅镀的平面Sn靶材

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种靶材，特别是涉及一种用于真空溅镀的平面Sn靶材。

背景技术

SnO₂薄膜是一种透明的导电薄膜, 其可见光透射率可达80% 以上，红外光的反射率可达80% 至90 %，其电导率可达10³Ω^-1·cm^-1。SnO₂薄膜具有良好的吸附性及化学稳定性,且兼具一定的硬度，因此SnO₂薄膜的应用范围比较广泛。可用于薄膜电阻,电热转换薄膜、热反射镜,太阳能电池,气敏传感器,透明电极,结构,SIS异质结,玻璃及玻璃器皿的表面保护层,也可以沉积在诸如玻璃,陶瓷材料,氧化物材料及其它种类的衬底材料上。

SnO₂薄膜形成的最主要的工艺为反应溅射沉积，而平面Sn靶材的结构一般为直接浇铸或者加工成靶材之后再焊接在铜背板上。因为金属纯锡质软，为增加其机械性能，必须用Cu背板做支撑。但无论是焊接工艺还是，浇铸工艺都需要将Cu背板加热到一定温度，而在这个温度下，Cu背板的Cu元素就开始向Sn靶中扩散，导致Sn靶的纯度下降，进而影响膜层的性能。

有鉴于上述现有的平面Sn靶材存在的缺陷，本设计人，积极加以研究创新，以期创设一种新型结构的用于真空溅镀的平面Sn靶材，使其更具有实用性。

实用新型内容

本实用新型的主要目的在于，克服现有的平面Sn靶材存在的缺陷，而提供一种新型结构的用于真空溅镀的平面Sn靶材，所要解决的技术问题是使其通过在背板和靶材基体之间设置阻隔层，提高了靶材的纯度，从而更加适于实用，且具有产业上的利用价值。

本实用新型的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本实用新型提出的用于真空溅镀的平面Sn靶材，包括背板和Sn靶材基体，它还包括设置在所述背板和所述靶材基体之间的阻隔层。

本实用新型的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

前述的用于真空溅镀的平面Sn靶材，其中，所述阻隔层电镀在所述背板上。

前述的用于真空溅镀的平面Sn靶材，其中，所述阻隔层电刷镀在所述背板上。

前述的用于真空溅镀的平面Sn靶材，其中，所述阻隔层为镍层。

借由上述技术方案，本实用新型用于真空溅镀的平面Sn靶材至少具有下列优点：

通过在背板上电镀或者电刷镀阻隔层，有效的防止了Cu元素的扩散，进而提高了靶材的纯度。

 综上所述，本实用新型特殊结构的用于真空溅镀的平面Sn靶材，其具有上述诸多的优点及实用价值，从而更加适于实用。

上述说明仅是本实用新型技术方案的概述，为了能够更清楚了解本实用新型的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本实用新型的较佳实施例并配合附图详细说明如后。

附图说明

图1为本实用新型所述的用于真空溅镀的平面Sn靶材的结构示意图。

具体实施方式

为更进一步阐述本实用新型为达成预定实用新型目的所采取的技术手段及功效,以下结合附图及较佳实施例，对本实用新型的具体实施方式详细说明如后。

如图1所示，用于真空溅镀的平面Sn靶材，包括背板3和靶材基体1，它还包括设置在背板3和靶材基体1之间的阻隔层2，阻隔层2为镍层。本实用新型的阻隔层2电镀在背板3上，也可以电刷镀在背板3上。

背板3电镀或者电刷镀镍层以后，再和靶材基体1焊合，检测靶材基体1中的Cu元素含量，基本上可控制在10ppm以下，而背板3没有电镀或者电刷镀镍层的靶材基体1，Cu元素的含量最高可达0.5 wt%，通过在背板上电镀或者电刷镀阻隔层，有效的防止了Cu元素的扩散，进而提高了靶材的纯度。

以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型作任何形式上的限制，虽然本实用新型已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本实用新型,任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本实用新型技术方案范围内,当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例,但凡是未脱离本实用新型技术方案的内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本实用新型技术方案的范围内。