[实用新型]频率调制电路有效
申请号: | 201120452142.3 | 申请日: | 2011-11-14 |
公开(公告)号: | CN202340187U | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 王文建 | 申请(专利权)人: | 浙江商业职业技术学院 |
主分类号: | H02M1/44 | 分类号: | H02M1/44 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 310053 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 频率 调制 电路 | ||
1.频率调制电路,其特征在于包括:
译码电路,所述振荡频率输出信号控制所述译码电路产生若干脉冲输出信号;
迟滞电路,所述振荡频率输出信号经过迟滞电路,产生频率调制输出信号,所述频率调制输出信号同所述振荡频率输出信号相比延迟一段时间,所述脉冲输出信号控制频率调制输出信号的延迟时间。
振荡电路,产生振荡频率输出信号;
2.如权利要求1所述频率调制电路,其特征在于振荡电路包括差分开关、第一电容、第一迟滞比较器和第一电流源,所述差分开关连接第一电流源;第一迟滞比较器比较第一电容输出的斜波电压是否达到充电基准电压或放电基准电压,并根据比较结果翻转输出振荡频率输出信号;振荡频率输出信号反馈给差分开关,差分开关控制第一电容的充电和放电。
3.如权利要求2所述频率调制电路,其特征在于所述差分开关包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管和第一反向器,所述第一PMOS管,第二PMOS管的源极连接第一电流源,第一PMOS管的漏极连接第一NMOS管的漏极,第二PMOS管的漏极连接第二NMOS管的漏极,第一NMOS管的漏极连接第一NMOS管和第二NMOS管的栅极,第一NMOS管和第二NMOS管的源极接地,第二NMOS管的漏极和源极分别连接第一电容的两端,第一迟滞比较器的输入端连接第一电容,第一迟滞比较器输出振荡频率输出信号,振荡频率输出信号反馈给第二PMOS管的栅极,振荡频率输出信号经第一反向器反向后反馈给第一PMOS管的栅极。
4.如权利要求1所述频率调制电路,其特征在于包括分频器,所述振荡电路输出的振荡频率输出信号连接分频器,分频器对振荡频率输出信号进行分频,产生脉冲输出信号。
5.如权利要求4所述频率调制电路,其特征在于所述分频器为多个,各个分频器串接,后一分频器对前一分频器的输出进行分频,各个分频器的输出通过逻辑电路进行组合后,产生若干脉冲输出信号。
6.如权利要求4所述频率调制电路,其特征在于所述分频器为一个,所述分频其产生脉冲输出信号。
7.如权利要求1所述频率调制电路,其特征在于所述译码电路是计数器,计数器输出多个脉冲输出信号。
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