[实用新型]半模基片集成波导与槽线混合的定向耦合器

权利要求书

1.一种半模基片集成波导与槽线混合的定向耦合器，包括从上往下依次层叠的第一金属覆铜层(1)、介质层(4)、第二金属覆铜层(2)、第二介质层(5)和第三金属覆铜层(3)，所述第一金属覆铜层(1)包括一组半模基片集成波导上表区域(11)、位于半模基片集成波导上表区域(11)两侧并与之连接的梯形过渡结构(12)、位于半模基片集成波导上表区域(11)两侧并与梯形过渡结构(12)连接的微带线(13)、位于半模基片集成波导上表区域(11)上的一排金属化通孔(41)，所述金属化通孔(41)贯穿了半模基片集成波导上表区域(11)和介质层(4)与第二金属覆铜层(2)连接，形成一路半模基片集成波导，其特征在于，所述第二金属覆铜层(2)对应于半模基片集成波导的位置内具有贯穿第二金属覆铜层(2)的槽(21)，所述第三金属覆铜层(3)对应于贯穿第二金属覆铜层(2)的槽(21)的位置的靠近两端处具有两组扇形结构(31)和与扇形结构(31)连接的第三金属覆铜层微带线(32)，所述扇形结构(31)和与之连接的第三金属覆铜层微带线(32)交于槽(21)在第三金属覆铜层(3)上的垂直投影区域内。

2.根据权利要求1所述的一种半模基片集成波导与槽线混合的定向耦合器，其特征在于，所述定向耦合器的半模基片集成波导上表区域(11)开路一侧延伸形成隔离金属覆铜区域(14)，所述隔离金属覆铜区域(14)与半模基片集成波导上表区域(11)通过隔离缝(15)分离开，所述隔离金属覆铜区域(14)上具有一排与金属化通孔(41)平行的隔离金属化通孔(42)，所述隔离金属化通孔(42)贯穿了隔离金属覆铜区域(14)和介质层(4)与第二金属覆铜层(2)连接。