[实用新型]一种功率控制电路板

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种功率控制电路板，具体是一种DC-AC转换或电机控制用的功率控制电路板。 

背景技术

在DC-AC转换，电机控制的功率输出级，一般采用MOSFET或IGBT桥式拓扑结构，现有的功率控制电路板的功率放大电路中的功率单元的分布如图1所示，其中的三相功率单元A、B和C直线排列于控制电路板的同侧；由于控制的电流很大，在连接功率控制元件(MOSFET或IGBT)和电源、负载的导体中将流过较大的电流，连接功率控制元件(MOSFET或IGBT)和电源、负载的导体的电抗(包括：分布电阻和分布电感)引入的功耗和寄生振荡使功率输出级的性能劣化，使其效率降低，温度升高，工作稳定性变差，导致功率控制器件(MOSFET，IGBT等)损坏率较高。 

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供可使电路板的导体电抗(分布电阻和分布电感)降至最小，可降低功耗和减小寄生振荡、提高功率输出级的性能和效率、降低温升，工作稳定性较好且损坏率较低的功率控制电路板。 

为解决上述技术问题，本实用新型提供的功率控制电路板，包括由上、下桥功率控制器件(MOSFET或IGBT)和滤波电容器构成的功率控制单元；其点是：上、下桥的功率控制器件对称排列，使功率控制器件的输出端子在上、下桥功率控制器件的中间用导体就近连接，上、下桥功率控制器件的供电端子和接地端子在上下桥功率控制器件的两边就近连接，并在上、下桥功率控制器件的供电端子和接地端之间接入滤波电容器。 

进一步，多个上述功率控制单元够成一品字形或多个吕字形的排列，即构成功率控制级，并使该电路板的电源正极线、电源地线、功率输出线就近连接，以使电路板的导体电抗(分布电阻和分布电感)降至最小。 

本实用新型具有的技术效果：在本实用新型的功率控制电路板上，功率控制器件(MOSFET，IGBT等)上、下桥中心对称成组相间排列(具体是将 上、下桥组呈品字型或呈多个吕字形直线排列)，使电源正极线，电源地线，功率输出线都可以就近连接，使导体的电抗(分布电阻和分布电感)降至最小，提高了功率输出级的性能和效率。 

附图说明

图1(a)、图1(b)和图1(c)分别是实施例中的上、下桥功率控制器件(MOSFET，IGBT等)中心对称成组排列组成的功率控制单元的正面、侧面和背面分布结构图； 

图2(a)、图2(b)和图2(c)分别是本实用新型中的上、下桥功率控制器件对称成组排列组成的三相功率控制级的电路板的正面、侧面和背面分布结构图。 

附图标记：1：功率控制器件，图中为三个并联，使用中可根据需要改变并联个数。2：连接功率控制器件的输出端子的导体。3：功率输出接线柱或接线点。4：滤波电容器。5：功率控制电路板的基板。6：功率控制器件的引脚。7：功率控制器件的电源正极导体。8：功率控制器件的电源负极导体。 

具体实施方式

下面结合附图及实施例对本实用新型进行详细说明： 

本实施例的无刷直流电机的功率控制电路板包括：多个由上、下桥功率控制器件1(MOSFET或IGBT)和滤波电容器4构成的功率控制单元。上、下桥的功率控制器件1对称排列，使功率控制器件1的输出端子在上、下桥功率控制器件的中间用导体2就近连接，上、下桥功率控制器件1的供电端子和接地端子在上下桥功率控制器件1的两边就近连接，并在上、下桥功率控制器件1的供电端子和接地端之间接入滤波电容器4。 

多个上述功率控制单元够成一品字形或多个吕字形的排列，即构成功率控制级，并使该电路板的电源正极线、电源地线、功率输出线就近连接，以使电路板的导体电抗(分布电阻和分布电感)降至最小。 

显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明本实用新型所作的举例，而并非是对本实用新型的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而这些属于本实用新型的精神所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本实用新型的保护范围之中。