[实用新型]低热阻GBU整流全桥

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种低热阻GBU整流全桥。

背景技术

现有的GBU整流全桥的热阻较高，导致工作中产品的结温约为120～145℃（小电流产品的功耗相对低，大电流产品的功耗相对高）。

发明内容

本实用新型的发明目的在于：针对上述存在的问题，提供一种低热阻GBU整流全桥，其技术方案是该装置塑封后环氧管体散热面厚度减薄到0.7mm，所述塑封后环氧管体散热面厚度结构是整流全桥结构含塑封后环氧管体散热面厚度（H2）减去整流全桥结构不含塑封后环氧管体散热面厚度（H1）。所述整流全桥结构含塑封后环氧管体散热面厚度（H2）是2.2mm, 整流全桥结构不含塑封后环氧管体散热面厚度是1.5mm（H1）。该装置改进了连接条尺寸和排布方向，是由结构组成连接条（DD1）、（DD2）、（DD3）、（DD4）的组成结构改变成结构组成连接条（D1）、（D2）、（D3）、（D4）的组成结构。

1、  调整整流全桥散热面厚度：

原设计厚度为1.0 ~1.2mm，更新设计到0.6~0.8mm；塑封后环氧管体散热面厚度减薄到0.7mm即H2-H1。

改进了产品散热面厚度－最大程度的带走热量,使芯片工作温度减低,可靠性提高。

2、          更改内部框架结构，使环氧树脂在框架内的流动性更强，避免因减薄散热面可能导致的散热面气孔产生。

改进了框架结构－消除悬臂设计，使产品内部形变更小，避免在塑封过程因框架受热应力作用变形而导致塑封气孔等问题；

改进了连接条尺寸和排布方向－提高连接条强度，增加焊接后产品强度，同样增加产品在塑封时抵抗热应力的能力。

综上所述，由于采用了上述技术方案，本实用新型的有益效果是：

采用低热阻设计，降低产品工作的结温，芯片的工作结温降低了，就能够使产品的稳定性提高。由于半导体产品采用掺杂扩散，温度高导致芯片中的掺杂具有更高的能态，从而使产品的反向漏电流高，高的漏电流形成更高的反向功耗，导致发热加剧，形成恶性循环而导致器件的损坏。因此，降低产品的工作结温是提高产品可靠性的有效措施。

附图说明

图1是本实用新型低热阻设计的结构尺寸图。

图2是本实用新型采用10A产品进行比较管体温度和芯片结温图。

图3是本实用新型原结构图。

图1是本实用新型改进结构图。

图中标记：H1为整流全桥结构不含塑封后环氧管体散热面厚度, H2为整流全桥结构含塑封后环氧管体散热面厚度;DD1、DD2、DD3、DD4均为本实用新型原结构组成连接条， D1、D2、D3、D4为本实用新型改进结构组成连接条。

具体实施方式

下面结合附图，对本实用新型作详细的说明。

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

如图2所示，数据表明，在管体温度和芯片结温上采用低热阻设计的产品比正常热阻的分别低15℃和20℃左右。

如图3、4，改进了连接条尺寸和排布方向－提高连接条强度，增加焊接后产品强度，同样增加产品在塑封时抵抗热应力的能力。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。