[发明专利]固结金刚石线切割单晶硅片的制绒方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种制绒方法，特别涉及一种固结金刚石线切割单晶硅片的制绒方法。

背景技术

我国光伏制造业这两年高速发展，产能不断扩充，目前已经占据了全球生产总量的50％以上；但目前的光伏发电难以平价上网，成为制约我国光伏发电市场大规模商业化的关键。实现平价上网最现实的途径，是发展高效、低成本的电池技术。由于金刚石切割技术具有切割效率高、面形精度好和环境清洁等优点，因此受到越来越广泛地关注。硅片采用金刚石线切割取代传统的钢线和砂浆切割方式，是切割技术革命性进步，也是硅片加工成本下降的最重要途径。

固结金刚石线切割技术优势明显，但给下游客户使用工艺带来了一些难题，因为金刚线采用固定磨粒切割方式，锯齿不能均匀分布，切出硅片表面比较光亮，线痕明显；用现有的制绒工艺做出的硅片表面状态差，线痕残留，色差大，常常造成产品降级；因此如何开发出能与金刚石切割硅片相配套的制绒工艺将是这种先进的切割工艺能否推广的关键。

因此，特别需要一种固结金刚石线切割单晶硅片的制绒方法，已解决上述现有存在的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种固结金刚石线切割单晶硅片的制绒方法，针对现有技术的不足，在不影响产量的前提下，很好的解决了固结金刚石线切割单晶硅片对制绒工序带来一系列问题，工艺简单，易于操作，实用性强。

本发明所解决的技术问题可以采用以下技术方案来实现：

一种固结金刚石线切割单晶硅片的制绒方法，其特征在于，它包括如下步骤：

(a)采用氧化剂和强碱混合溶液制成粗抛液对固结金刚石线切割单晶硅片进行粗抛，即对固结金刚石线切割单晶硅片上的对线痕片进行预处理；

(b)将上述单晶硅片放入制绒液中进行制绒，得到良好的表面和绒面的单晶硅片。

在本发明的一个实施例中，所述氧化剂为过氧化物，所述氧化剂的体积百分比含量为1-5％。

进一步，所述过氧化物为过氧化氢或过氧化叔丁醇。

在本发明的一个实施例中，所述强碱为NaOH或KOH，所述强碱的重量百分比含量为1-15％。

在本发明的一个实施例中，所述预处理的温度为75-85℃。

在本发明的一个实施例中，所述预处理的时间为5-200秒。

本发明的固结金刚石线切割单晶硅片的制绒方法，与现有技术相比，在不影响产量的情况下，很好的解决了绒面异常及外观不良等问题，效果显著，工艺简单，实用性强，实现本发明的目的。

本发明的特点可参阅本案图式及以下较好实施方式的详细说明而获得清楚地了解。

附图说明

图1为现有制绒工艺下传统钢线切割的硅片制绒后的绒面示意图；

图2为现有制绒工艺下金刚石线切割的硅片制绒后的绒面示意图；

图3为本发明的实施例2金刚石线切割的硅片制绒后的绒面示意图；

图4为本发明的实施例3金刚石线切割的硅片制绒后的绒面示意图。

具体实施方式

为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本发明。

本发明的固结金刚石线切割单晶硅片的制绒方法，它包括如下步骤：

(a)采用氧化剂和强碱混合溶液制成粗抛液对固结金刚石线切割单晶硅片进行粗抛，即对固结金刚石线切割单晶硅片上的对线痕片进行预处理；

(b)将上述单晶硅片放入制绒液中进行制绒，得到良好的表面和绒面的单晶硅片。

在本发明中，所述氧化剂为过氧化物，所述氧化剂的体积百分比含量为1-5％；所述过氧化物为过氧化氢或过氧化叔丁醇。

在本发明中，所述强碱为NaOH或KOH，所述强碱的重量百分比含量为1-15％。

在本发明中，所述预处理的温度为75-85℃。

在本发明中，所述预处理的时间为5-200秒。

对比例1

采用的硅片是156*156的P型单晶硅片。

粗抛：选择NaOH与水配制混合溶液，NaOH的浓度为15％，粗抛温度为85℃，粗抛时间为120秒，粗抛后漂洗。

制绒：以上粗抛后的硅片进入制绒槽，制绒时温度为80℃，制绒液浓度为1.3％，制绒时加入添加剂和异丙醇，用来调节绒面。

经以上制绒工艺得到的硅片，光学显微镜下观察绒面，金字塔大小为1-3um，但外观仍存在明显线痕。所得绒面参见图1和图2。

实施例1

采用的硅片是156*156的P型单晶硅片。