[发明专利]多晶硅坩埚喷涂免烘干的方法及氮化硅涂层有效
| 申请号： | 201110455432.8 | 申请日： | 2011-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN103506263A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 高世超;陈立新;冯文宏;张运峰;王丙宽 | 申请（专利权）人： | 英利能源（中国）有限公司 |
| 主分类号： | B05D5/00 | 分类号： | B05D5/00;B05D5/08;B05D1/02;B05D3/00;C01B33/14;C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 071051 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 坩埚 喷涂 烘干 方法 氮化 涂层 | ||
【权利要求书】：
1.一种多晶硅坩埚喷涂免烘干的方法，其特征在于，包括步骤：
1)将氮化硅、去离子水和硅溶胶混合，形成乳浆状溶液；
2)将所述溶液雾化，并喷涂至坩埚内壁，自然干燥后形成氮化硅涂层。
2.根据权利要求1所述的多晶硅坩埚喷涂免烘干的方法，其特征在于，所述硅溶胶为电子级高纯硅溶胶。
3.根据权利要求1所述的多晶硅坩埚喷涂免烘干的方法，其特征在于，所述硅溶胶的主要成分为SiO2。
4.根据权利要求1所述的多晶硅坩埚喷涂免烘干的方法，其特征在于，所述氮化硅、所述硅溶胶和所述去离子水的质量配比为1∶0.5∶3～1∶0.7∶3.5。
5.根据权利要求4所述的多晶硅坩埚喷涂免烘干的方法，其特征在于，所述氮化硅、所述硅溶胶和所述去离子水的质量配比为1∶0.6∶3.2。
6.根据权利要求1所述的多晶硅坩埚喷涂免烘干的方法，其特征在于，所述溶液的喷涂温度范围处于65-75℃之间。
7.根据权利要求1所述的多晶硅坩埚喷涂免烘干的方法，其特征在于，所述溶液的喷涂压力范围处于10～100Pa之间。
8.一种氮化硅涂层，粘附于多晶硅坩埚的内表面，其特征在于，所述氮化硅涂层由如权利1-7任意一项所述的多晶硅坩埚喷涂免烘干的方法加工而成。
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