[发明专利]研磨垫、使用该研磨垫的研磨装置及研磨方法有效
| 申请号： | 201110453496.4 | 申请日： | 2011-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN103182676A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 陈枫 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/20 | 分类号： | B24B37/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 研磨 使用 装置 方法 | ||
1.一种研磨垫，其特征在于，包括：
第一研磨区，设置于研磨垫边缘，用于研磨晶圆边缘；
第二研磨区，所述第二研磨区至少能容纳整个晶圆，用于研磨整个晶圆表面；
其中，所述研磨垫的第一研磨区与第二研磨区之间具有沟槽。
2.如权利要求1所述的研磨垫，其特征在于，所述研磨垫具有多个第一研磨区。
3.如权利要求2所述的研磨垫，其特征在于，所述沟槽的轮廓呈弧形。
4.如权利要求3所述的研磨垫，其特征在于，所述沟槽包括内弧形，所述内弧形的直径为0.5cm～5cm。
5.如权利要求1所述的研磨垫，其特征在于，所述沟槽的宽度为0.5cm～2cm。
6.一种包括权利要求1～5任一项所述研磨垫的研磨装置，所述研磨装置还包第一输送装置。
7.如权利要求6所述的研磨装置，其特征在于，所述第一输送装置可转动至第一研磨区上方以向第一研磨区表面喷射液体，所述第一输送装置也可转动至第二研磨区上方以向第二研磨区表面喷射液体。
8.如权利要求6所述的研磨装置，其特征在于，所述研磨装置还包括第二输送装置，所述第一输送装置用以向第一研磨区表面喷射液体，所述第二输送装置用以向第二研磨区表面喷射液体。
9.一种研磨方法，其特征在于，包括：
提供研磨垫，置于可旋转研磨台之上，所述研磨垫包括第一研磨区和第二研磨区，所述第一研磨区与第二研磨区之间具有沟槽；
提供晶圆，将所述晶圆装载于研磨头上；
提供第一输送装置，置于所述研磨垫上方，所述第一输送装置，用以供应研磨晶圆时所需的液体；
当需要研磨整个晶圆表面时，研磨晶圆过程包括：采用第二研磨区对整个晶圆表面进行研磨，采用第一研磨区对晶圆的边缘进行研磨；
当仅需要研磨晶圆边缘时，采用第一研磨区对晶圆的边缘进行研磨。
10.如权利要求9所述的研磨方法，其特征在于，在对整个晶圆表面进行研磨的时候，喷射研磨液至第二研磨区。
11.如权利要求9所述的研磨方法，其特征在于，在仅对整个晶圆边缘进行研磨的时候，研磨头旋转，研磨台保持静止。
12.如权利要求11所述的研磨方法，其特征在于，在仅研磨晶圆边缘的时候，喷射研磨液至第一研磨区，同时喷射去离子水至第二研磨区。
13.如权利要求9所述的研磨方法，其特征在于，在对整个晶圆表面以及晶圆边缘进行研磨之后，喷射清洗液至研磨垫的整个表面上进行清洗。
14.如权利要求9所述的研磨方法，其特征在于，所述第一研磨区具有多个，当第一研磨区达到CMP使用寿命时，通过研磨头携带晶圆移动至另一个第一研磨区研磨晶圆边缘。
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