[发明专利]半导体器件测试系统的分段式双重保护型电源有效

专利信息
申请号: 201110445358.1 申请日: 2011-12-28
公开(公告)号: CN102545653A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 郑俊岭 申请(专利权)人: 佛山市联动科技实业有限公司
主分类号: H02M7/04 分类号: H02M7/04;H02M1/32;H02H7/125;H02H5/04;H02H3/08
代理公司: 广州市南锋专利事务所有限公司 44228 代理人: 李永庆
地址: 528000 广东省佛山市禅城区华远东路1*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件 测试 系统 段式 双重 保护 电源
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种半导体器件测试系统,具体是指一种半导体器件测试系统的电源。

背景技术

半导体器件(semiconductor device)通常,这些半导体材料是硅、锗或砷化镓,可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材,为了与集成电路相区别,有时也称为分立器件,半导体器件的应用相当广泛,故为了保证产品的质量,对半导体器件的性能进行测试非常关键,传统的半导体器件测试系统的电源电路的电压输出比较单一,使QVI板在不同的电压段的电压输出能力有限,QVI板的功率管的功耗较大;另外,一旦输出电路出现故障,不能及时切断供电端继电器,从而会烧坏设备。

发明内容

为了克服上述之不足,本发明的目的在于提供一种具有双重保护功能并且节能环保的半导体器件测试系统的分段式双重保护型电源。

本发明所采用的技术方案如下:

半导体器件测试系统的分段式双重保护型电源,包括有高频变压器,连接在高频变压器初级线圈中的供电端继电器,其特征在于:所述高频变压器的次级线圈上连接有正、负直流高压输出电路,正、负直流中压输出电路和正、负直流低压输出电路;所述正、负直流高压输出电路,正、负直流中压输出电路和正、负直流低压输出电路中都串接有两个限流保护电阻。

所述两个限流保护电阻上都并联有用以断开供电端继电器的光耦。

所述每个限流保护电阻上都紧贴有温控开关,所述的每个温控开关都与供电端继电器串接。

    所述高频变压器初级线圈连接中频正弦波电源。

本发明的有益效果:由于采用高、中、低压的分段式供电形式,并串接了限流保护电阻,不仅使QVI板在不同的电压段都具备相应的输出能力,而且还有效降低QVI板的功率管Q1、Q2工作时产生的功耗,使功率管在安全范围内工作;由于采用双重保护的方式,当外部电路异常短路时,会切断供电端继电器,从而使设备更安全可靠。

附图说明

下面结合附图对本发明作进一步的详细说明。

图1为本发明的电路图。

图中:1、高频变压器; 2、供电端继电器; 3、正直流高压输出电路; 4、正直流中压输出电路;5、正直流低压输出电路;6、负直流高压输出电路;7、负直流中压输出电路;8、负直流低压输出电路;9、限流保护电阻;10、光耦;11、温控开关;12、QVI板。

具体实施方式

 如图1所示,半导体器件测试系统的分段式双重保护型电源,包括有高频变压器1,连接在高频变压器初级线圈中的供电端继电器2,高频变压器初级线圈连接中频正弦波电源,高频变压器的次级线圈上连接有正直流高压输出电路3、正直流中压输出电路4、正直流低压输出电路5、负直流高压输出电路6、负直流中压输出电路7和负直流低压输出电路8,所述正、负直流高压输出电路,正、负直流中压输出电路和正、负直流低压输出电路中都串接有两个限流保护电阻9,两个限流保护电阻9上都并联有用以断开供电端继电器2的光耦10。每个限流保护电阻9上都紧贴有温控开关11,所述的每个温控开关11都与供电端继电器2串接。

    本发明具有以下特点:一、分段式供电:中频正弦波经过变压器TR1转换产生交流高压、中压、低压,然后经整流滤波产生直流正负高压、中压、低压,使QVI板在不同的电压段具备相应的输出能力;二、限流保护:高压、中压、低压分别串联适当的限流保护电阻,有效降低QVI板(质量检测电路板)12的功率管Q1、Q2工作时产生的功耗,使功率管在安全范围内工作;三、故障保护:此电路具备双重保护功能:A、软件保护功能,在每个限流保护电阻上并联光耦,当外部电路异常短路时(连接线短路、QVI板功率管损坏等),PH+端子输出低电平。软件检测到此低电平持续一段时间后,就会切断变压器TR1的供电端继电器S1,实现保护功能;B、硬件保护功能,在安装时用温度开关T1~T12紧贴功率电阻,当外部电路异常短路(连接线短路、QVI板功率管损坏等),限流保护电阻长期发热时温度开关断开,从而切断变压器TR1的供电端继电器S1,实现过温保护。

以上所述是本发明的优选实施方式而已,当然不能以此来限定本发明之权利范围。应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,对本发明的技术方案进行修改或者等同替换,都不脱离本发明的保护范围。

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