[发明专利]超半球型电光固浸透镜

权利要求书

1.一种超半球型电光固浸透镜，其特征在于：具有超半球结构，即是一个球体沿平行于赤道面方向去除一小部分形成的超半球，超半球底面的中心到球面顶点的距离为(1+1/n)r，其中n为超半球材料的折射率，r为超半球球体的半径；超半球材料为折射率n＞2，电光系数γ＞0.5pm/V，对探测光透明的III-V族电光材料、II-VI族电光材料或铁电体电光材料。

2.如权利要求1所述的一种超半球型电光固浸透镜，其特征在于：切除超半球的边缘部分，将超半球的下端加工成顶点为齐明点的倒圆锥或者倒棱锥结构，齐明点到球面顶点的距离为(1+1/n)r，其中n为超半球材料的折射率，r为超半球球体的半径；超半球材料为折射率n＞2，电光系数γ＞0.5pm/V，对探测光透明的III-V族电光材料、II-VI族电光材料或铁电体电光材料。

3.如权利要求1或2所述的一种超半球型电光固浸透镜，其特征在于：超半球材料为GaAs、GaP、ZnTe、β-ZnS、CdTe、ZnSe、CdSe、α-ZnS、CdS、ZnO、LiNbO₃、LiTaO₃或KNbO₃。

4.如权利要求3所述的一种超半球型电光固浸透镜，其特征在于：对于具有闪锌矿结构的GaAs、GaP、ZnTe、CdTe、ZnSe或β-ZnS电光材料选择沿(100)晶面切割，进行纵向电光调制，测量被测器件的纵向电场分量。

5.如权利要求3所述的一种超半球型电光固浸透镜，其特征在于：对于具有3m和6mm点群对称的α-ZnS、CdS、ZnO、CdSe、LiNbO₃、LiTaO₃或KNbO₃电光材料，选择沿晶体c轴切割，探测光垂直于c轴入射，进行横向电光调制，测量被测器件的横向电场分量。

6.如权利要求1或2所述的一种超半球型电光固浸透镜，其特征在于：超半球型电光固浸透镜与显微物镜搭配使用，将超半球电光固浸透镜和显微物镜调成共轴状态，显微物镜的焦距大于(n+1)r，超半球型电光固浸透镜的底面中心到显微物镜焦点的距离为(n-1/n)r。