[发明专利]一种高吸收率辐射吸收腔无效
申请号: | 201110439109.1 | 申请日: | 2011-12-23 |
公开(公告)号: | CN102538958A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 方伟;方茜茜;杨东军;王玉鹏 | 申请(专利权)人: | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
主分类号: | G01J1/04 | 分类号: | G01J1/04 |
代理公司: | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人: | 陶尊新 |
地址: | 130033 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 吸收率 辐射 吸收 | ||
【权利要求书】:
1.一种高吸收率辐射吸收腔,其特征是,该吸收腔包括腔入射口径(3)、正圆锥面(4)和与圆锥母线夹角为β的斜底面(5),腔入射口径(3)位于圆锥体(6)的细端,并且入射口径(3)所在平面与圆锥体(6)的轴线垂直;吸收腔内壁涂有纯镜面反射的黑涂层(7),所述β的角度值为30°。
2.根据权利要求1所述的一种高吸收率辐射吸收腔,其特征在于,所述吸收腔的腔体材料为OFHC铜。
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