[发明专利]一种NAND FLASH的状态检测及映射方法

说明书

【技术领域】

本发明涉及一种NAND FLASH器件的领域。

【背景技术】

EEPROM(电可擦写可编程只读存储器)的市场应用范围很广泛，但是其缺点也很明显，写入速度慢，至少10ms的写等待时间，而且写操作次数有限制，并且总体存储容量有限。

NAND FLASH及NOR FLASH是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。NOR FLASH存储器存储容量大，但其存储特性又导致在使用过程中存在存取不灵活的特点。

NAND FLASH是嵌入式领域较为常用的固态大容量存储器，具有掉电后不丢失数据，容量较大，改写速度快，价格低廉等优点。但是NAND FLASH中存在随机分布的坏块缺陷，对NAND FLASH的介质检测及映射标记就是一个需要解决的问题。在使用NAND FLASH时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作，向NAND FLASH写入信息需要相当的技巧，因为不能向坏块写入，这就意味着在NAND FLASH上自始至终都必须进行虚拟映射，NAND FLASH中的坏块是随机分布的，对可靠性有一定的影响。

【发明内容】

本发明要解决的技术问题，在于提供一种NAND FLASH的状态检测及映射方法，它能够根据NAND FLASH存储器的特性，进行处理，以确保使用的可靠性。

本发明是这样实现的：一种NAND FLASH的状态检测及映射方法，具体包括如下步骤：

步骤10、在存储器的头部根据存储器的信息建立映射表，所述映射表包括：表标识单元、表信息单元、映射单元和数据校验单元；

步骤20、对存储器进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块的信息在映射表中标记出来；

步骤30、对映射表进行备份，创立备份表，用户在向存储器写入数据的时候，根据映射表的信息，再进行操作；

步骤40、存储器在使用过程中通过校验算法对存储器进行检测监控，如发现坏块，则对映射表进行更新。

进一步的，所述表标识单元为对每一映射表起标识作用的固定字符。

进一步的，所述表信息单元包括了存储器版本号、存储器容量、块数量、块大小、页大小。

进一步的，所述数据校验单元用于存储采用32Bit的CRC校验方法获得的用于校验的校验值，该校验值是从映射表表头的表标识单元开始，对整个映射表的数据结构除最后的数据校验单元外，使用CRC校验方法对每个字节做循环校验运算计算出的校验值。

所述步骤30进一步包括：首先判断映射表是否有效，若有效则直接根据映射表的信息进行操作，若无效则搜索备份表，并判断备份表是否有效，若备份表有效，则根据该备份表更新映射表，并根据映射表的信息进行操作，若备份表无效，则扫描存储介质创建映射表，创立备份表，再根据映射表的信息进行操作。

本发明具有如下优点：

本发明提出一种NAND FLASH的状态检测及映射方法，根据NANDFLASH存储器的特性，通过软件的方法进行处理，以确保使用的可靠性，本发明方法简单易行，灵活实用，在保证稳定性的基础上，将检测出的各种状态体现在映射表中，然后根据映射表，进行合理的各种操作。

【附图说明】

下面参照附图结合实施例对本发明作进一步的说明。

图1为本发明的映射表结构示意图。

图2为本发明在向存储器中写数据的流程示意图。

【具体实施方式】

本发明具体包括如下步骤：

步骤10、在存储器的头部根据存储器的信息建立映射表，如图1，所述映射表包括：表标识单元、表信息单元、映射单元和数据校验单元；所述表标识单元为对每一映射表起标识作用的固定字符。所述表信息单元包括了存储器版本号、存储器容量、块数量、块大小、页大小。所述数据校验单元为采用32Bit的CRC校验方法获得的用于校验的校验值。该校验值是从映射表表头的表标识单元开始，对整个映射表的数据结构除最后的数据校验单元外，使用循环校验算法(CRC)对每个字节做循环校验运算，计算出的校验值存储在映射表的数据结构最后4字节的数据校验单元(即CRC存储字段)。

步骤20、对存储器进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块的信息在映射表中标记出来；