[发明专利]一种缓冲开关电路

权利要求书

1.一种缓冲开关电路，其特征在于，该电路包括通过导线相连的缓冲模块、开关模块、整流模块，其中：

所述缓冲模块通过一饱和电感缓冲所述开关模块的开通脉冲上升沿，通过一高速开关高导通电阻的MOS管缓冲所述开关模块的关断脉冲下降沿；

所述开关模块通过一低速开关低导通电阻的MOS管实现电路通路的闭合与断开；

所述整流模块用于将输出电压进行整形。

2.根据权利要求1所述的缓冲开关电路，其特征在于，还包括与整流模块相连的整流保护模块，所述整流保护模块用于防止所述整流模块被反向击穿。

3.根据权利要求1或2所述的缓冲开关电路，其特征在于，所述开关模块包括第一MOS管和第一电感，所述缓冲模块包括第二电感和第二MOS管，所述整流滤波模块包括第一整流二极管、第二整流二极管、第三整流二极管，其中：

所述第一电感一端连接在输入端，另一端与第二电感相连，所述第二电感与第一MOS管的漏极相连，所述第二MOS管的漏极连接在第一电感和所述第一整流二极管之间，所述第二整流二极管和第三整流二极管同向串联后，其正极连接在所述第二电感和所述第一MOS管的漏极之间，其负极与第一整流二极管的负极相连后再与一用于滤除负载两端输出电压杂波的滤波电容相连，所述第一、二MOS管的源极和所述滤波电容、所述负载等电势连接。

4.根据权利要求3所述的缓冲开关电路，其特征在于，所述第一电感为功率电感。

5.根据权利要求3所述的缓冲开关电路，其特征在于，所述第一MOS管的型号是FDB8832，所述第二MOS管的型号是IPD135N03L。

6.根据权利要求3所述的缓冲开关电路，其特征在于，还包括第五电感和第三MOS管，所述第五电感一端与所述第二电感相连，另一端连接在第三MOS管的漏极上，所述第三MOS管的源极与第一、二MOS管、滤波电容和负载等电势连接。

7.根据权利要求2所述的缓冲开关电路，其特征在于，所述整流保护模块包括第三电感、第四电感、限流电阻，所述第三电感通过励磁电源供电并与所述整流模块相连，所述限流电阻一端与第三电感相连，另一端与所述第四电感串联，所述第四电感与第一、二、三MOS管的源极、和所述滤波电容、所述负载等电势连接。

8.根据权利要求7所述的缓冲开关电路，其特征在于，所述第三电感为饱和电感，所述第四电感为恒流源电感。