[发明专利]更新校准数据的方法和器件制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种更新适合于确定物体的位置的第一位置检测系统的校准数据的方法和一种器件制造方法。

背景技术

光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上(通常应用到所述衬底的目标部分上)的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。典型地，经由成像将所述图案转移到在所述衬底上设置的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。通常，单个衬底将包含连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括：所谓步进机，在所述步进机中，通过将整个图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及所谓扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。还可以通过将所述图案压印到所述衬底上，而将所述图案从所述图案形成装置转移到所述衬底上。

传统地，在光刻设备中，台的位置(例如衬底台的位置)被使用激光干涉仪进行测量。在这一系统中，光栅被放置在台的边缘上，且激光束照射在光栅上。所述反射由靠近激光源定位的传感器来测量。这样的测量系统的困难在于，可能存在辐射束所行进穿过的介质(例如空气)的折射率的变化。另外，它们的精度不是太大，尽管它们的长期稳定性高。

近来，已经开发出新型的位置测量单元，称为编码器。编码器被例如在US 6,639,686(通过参考将其全部并入本文中)中进行了描述。2D光栅目标定位在所述台上或位于所述台被用于过程时所在的区域上方，所述过程需要对所述台的精确的位置测量。包括发射器和接收器的编码器定位在所述台的其它部分和在所述台上方。其具有的优点是任何辐射束需要行进的距离被减小(使得辐射束穿过的介质的折射率的任何变化具有较小的效应)以及其较容易地(其应当必须)调节辐射束穿过的环境。

例如在US 2007/0288121和US 2008/0094592(上述两者通过参考将其全部内容并入本文中)并行地使用的，公开了两种类型的位置测量系统。使用两个系统允许在台定位在投影系统的下面时利用编码器进行精确测量，例如，同时仍然允许在其整个移动范围(其包括不在投影系统下面的区域)上进行对所述台的位置测量。

台定位装置的上述组合可以被用在任何光刻设备中。所述系统可能尤其期望地用在浸没或EUV光刻设备中。

在浸没光刻术中，已提出将光刻投影设备中的衬底浸没在具有相对高的折射率的液体(例如，水)中，以填充介于投影系统的最终元件和衬底之间的空间。在一个实施方式中，所述液体是蒸馏水，尽管也可使用另一种液体。然而，另一种流体也可能是适合的，特别是润湿性流体、不可压缩的流体和/或其折射率比空气的折射率更高的流体，期望地是其折射率比水的折射率更高的流体。尤其期望是除气体之外的流体。由于曝光辐射在所述液体中具有更短的波长，所以上述做法的要点在于能够使更小的特征成像。(所述液体的作用还可以看作是增加了系统的有效的数值孔径(NA)并且增大焦深)。还提出了使用其它浸没液体，包括其中悬浮有固体颗粒(例如，石英)的水，或具有纳米颗粒的悬浮体(例如具有最大尺寸达10nm的颗粒)的液体。所述悬浮的颗粒可能具有或可能不具有与它们悬浮所在的液体相似或相同的折射率。包括烃(例如芳香烃、氟化烃和/或水溶液)的其它液体可能也是适合的。

在浸没设备中，浸没流体由流体处理系统、器件结构或设备来处理。在一实施方式中，流体处理系统可以供给浸没流体，且因此是流体供给系统。在一实施例中，流体处理系统可以至少部分地限制浸没流体，且因此是流体限制系统。在一实施方式中，流体处理系统可以给浸没流体提供阻挡件，且由此是阻挡构件，诸如流体限制结构。在一实施方式中，流体处理系统可以产生或使用气流，例如帮助控制浸没流体的流动和/或位置。气流可以形成限制浸没流体的密封，因此流体处理结构可以被称为密封构件，这样的密封构件可以是流体限制结构。在一实施方式中，浸没液体被用作浸没流体。在该情形中，流体处理系统可以是液体处理系统。参考上述的描述，在本段中对关于流体限定的特征的表示可以被理解成包括关于液体限定的特征。

发明内容

编码器类型的位置测量装置的长期稳定性可能不是那么大。因此，可能期望频繁地执行校准过程，以便利用相比干涉仪系统编码器系统所允许的更好的精度。

期望地，例如提供一种校准方法，其不会导致大量的设备停机时间。