[发明专利]选择区域外延自脉动DFB激光器的制作方法

权利要求书

1.一种选择区域外延自脉动DFB激光器的制作方法，包括如下步骤：

步骤1：在InP衬底上制作两条介质掩膜图形，该两条介质掩膜图形分别包括A段、B段和过渡区；

步骤2：在制作有介质掩膜图形的衬底上外延生长多量子阱有源区；

步骤3：在多量子阱有源区上制作均匀光栅；

步骤4：腐蚀去掉介质掩膜图形对应的介质掩模，在光栅层上依次生长InP包层和电接触层；

步骤5：在介质掩膜图形的A段和B段之间刻蚀电隔离区，刻蚀深度到达InP包层的表面；

步骤6：电接触层上刻蚀脊波导结构；

步骤7：在脊波导结构上蒸镀正面电极；

步骤8：将InP衬底减薄，在减薄的InP衬底背面蒸镀背面电极；

步骤9：在管芯一端蒸镀抗反射薄膜，另一端蒸镀高反射膜，完成自脉动器件管芯的制作。

2.根据权利要求1所述的选择区域外延自脉动DFB激光器的制作方法，其中所述InP衬底为n型或p型，掺杂浓度为5×10¹⁷-5×10¹⁸cm^-3，晶面为(100)。

3.根据权利要求1所述的选择区域外延自脉动DFB激光器的制作方法，其中介质掩模图形的材料为SiO₂或Si₃N₄，厚度为30至300纳米。

4.根据权利要求3所述的选择区域外延自脉动DFB激光器的制作方法，其中两条介质掩模图形的A段和B段的宽度不同，两条介质掩模图形的间隔为2微米至30微米，A段介质掩膜条宽度为5至60微米，B段的介质掩膜条宽度为0至30微米；A段和B段的长度分别为50微米至300微米；A段和B段之间的过渡区长度为5至50微米。

5.根据权利要求3所述的选择区域外延自脉动DFB激光器的制作方法，其中介质掩模图形的A段和B段的多量子阱有源区的增益峰值波长差为0.01nm至10nm，对应的自脉动拍频频率为1.25GHz至1.25THz。

6.根据权利要求3所述的选择区域外延自脉动DFB激光器的制作方法，其中介质掩模图形的A段和B段之间的电隔离区处于介质掩模图形的过渡区之上。

7.根据权利要求1所述的选择区域外延自脉动DFB激光器的制作方法，其中多量子阱有源区包括依次生长的下波导层、芯层和上波导层。

8.根据权利要求5所述的选择区域外延自脉动DFB激光器的制作方法，其中多量子阱有源区的芯层的材料为铟镓砷磷材料或铝铟镓砷材料，其增益峰值波长在1.2微米至1.6微米波段。