[发明专利]用于准确记录的系统和方法

权利要求书

1.一种用于计算全息盘中的记录深度的方法，所述方法包括：

将第一外部电压施加到与物镜耦合的一个或多个致动器，以便将具有第一波长的辐射的跟踪光束聚焦在所述盘的参考层上，其中所述参考层包括部分二向色涂层或部分金属化涂层中的至少一个；

将第二外部电压施加到与所述物镜耦合的所述一个或多个致动器，以便将辐射的记录光束聚焦在所述盘的所述参考层上，其中所述记录光束包括与所述跟踪光束的所述第一波长不同的第二波长；

计算所述第一外部电压与所述第二外部电压之间的差；

基于所述差，使用电压-距离校准曲线来计算透镜位移距离，其中所述透镜位移距离包括为了将辐射的所述跟踪光束和辐射的所述记录光束分别聚焦在所述参考层上而对所述物镜的距离的位移；以及

基于所述透镜位移距离来计算所述记录深度。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述电压-距离校准曲线经由镜台测微计来获得。

3.如权利要求1所述的方法，其中，所述计算所述记录深度包括：将所述全息盘中使用的材料的折射率计算在内。

4.一种用于计算全息盘中的记录深度的系统，所述系统包括：

跟踪激光源，所述跟踪激光源配置成发射具有第一波长的辐射的跟踪光束；

与物镜耦合的一个或多个致动器，所述物镜配置成在对所述致动器施加第一外部电压时将具有第一波长的辐射的所述跟踪光束聚焦在所述盘的参考层上，其中所述参考层包括部分二向色涂层或部分金属化涂层中的至少一个；以及

配置成发射辐射的记录光束的记录激光源，辐射的所述记录光束经由对所述致动器施加第二外部电压来聚焦在所述盘的所述参考层上，辐射的所述记录光束包括与辐射的所述跟踪光束的所述第一波长不同的第二波长；

处理子系统，所述处理子系统配置成：

计算所述第一外部电压与所述第二外部电压之间的差；

基于所述差，使用电压-距离校准曲线来计算透镜位移距离，其中所述透镜位移距离包括为了将辐射的所述跟踪光束和辐射的所述记录光束分别聚焦在所述参考层上而对所述物镜的距离的位移；以及

基于所述透镜位移距离来计算所述记录深度。

5.如权利要求4所述的系统，还包括配置成调整所述盘中的所述记录深度的记录深度调整光学子系统。

6.如权利要求5所述的系统，其中，所述记录深度调整光学子系统包括多个透镜。

7.如权利要求5所述的系统，其中，所述记录调整光学子系统耦合到所述跟踪光束的光路或者所述记录光束的光路。

8.如权利要求4所述的系统，其中，所述二向色涂层包括氧化物和氮化物的多个介电层。

9.如权利要求4所述的系统，其中，所述金属化涂层包括铝或金或银或者它们的混合合金其中之一。

10.如权利要求4所述的系统，其中，跟踪激光源的所述第一波长包括在大约400nm与大约800nm之间的范围中的波长。

11.如权利要求4所述的系统，其中，记录激光源的所述波长包括在大约375nm与大约650nm之间的范围中的波长。

12.如权利要求4所述的系统，其中，所述参考层反射多达大约100％的辐射的跟踪光束，而反射多达大约1％的辐射的记录光束。