[发明专利]氧化硅玻璃坩埚的制造方法,氧化硅玻璃坩埚

权利要求书

1.一种用于制造单晶或多晶硅锭的氧化硅玻璃坩埚的制造方法，其特征在于：具备玻璃化工序，其中，对具有坩埚形状的氧化硅粉末烧结体，从内面侧对所述氧化硅粉末烧结体进行电弧熔化而对所述氧化硅粉末烧结体的厚度方向上的全部或局部进行玻璃化，

并且具备：(1)进行所述电弧熔化时从外面侧对所述氧化硅粉末烧结体进行减压，(2)进行所述电弧熔化时在所述氧化硅粉末烧结体的内面散布合成氧化硅粉而在内面侧形成合成氧化硅玻璃层，之中的至少一种工序。

2.如权利要求1所述的氧化硅玻璃坩埚的制造方法，其特征在于：所述氧化硅粉末烧结体的内表面开始熔化之后，开始散布所述合成氧化硅粉。

3.如权利要求1所述的氧化硅玻璃坩埚的制造方法，其特征在于：所述氧化硅粉末烧结体的内表面开始熔化之后，立即开始散布所述合成氧化硅粉，形成所需厚度的合成氧化硅玻璃层之后，立即结束所述电弧熔化。

4.如权利要求1所述的氧化硅玻璃坩埚的制造方法，其特征在于：在所述电弧熔化中，使所述氧化硅粉末烧结体的内表面温度达到1700～2600℃。

5.如权利要求1至4的任意一项所述的氧化硅玻璃坩埚的制造方法，其特征在于：所述氧化硅粉末烧结体是通过将粉碎氧化硅玻璃而得的氧化硅粉末与分散剂相混合而制得浆料，并将其形成为坩埚形状之后进行烧成的工序来制造的。

6.如权利要求5所述的氧化硅玻璃坩埚的制造方法，其特征在于：所述氧化硅玻璃是在氧化硅玻璃坩埚制造工序中产生的废玻璃。

7.如权利要求5所述的氧化硅玻璃坩埚的制造方法，其特征在于：所述氧化硅粉末的平均粒径为1～250μm。

8.如权利要求5所述的氧化硅玻璃坩埚的制造方法，其特征在于：所述烧成温度为800～1500℃。

9.一种氧化硅玻璃坩埚，其特征在于：具备使坩埚形状的氧化硅粉末烧结体的内面进行熔化而形成的氧化硅玻璃层。

10.如权利要求9所述的氧化硅玻璃坩埚，其特征在于：所述氧化硅玻璃层实质上不含有气泡。

11.如权利要求9所述的氧化硅玻璃坩埚，其特征在于：在所述氧化硅玻璃层上具备合成氧化硅玻璃层。

12.如权利要求9所述的氧化硅玻璃坩埚，其特征在于：所述氧化硅玻璃层至少在局部被结晶化。

13.如权利要求9所述的氧化硅玻璃坩埚，其特征在于：在所述坩埚的外面侧具有未熔化烧结体层。

14.如权利要求13所述的氧化硅玻璃坩埚，其特征在于：所述氧化硅玻璃层上具备合成氧化硅玻璃层，所述未熔化烧结体层的厚度为坩埚壁厚的30％～90％。