[发明专利]切槽爆破与光面爆破联合控制爆破法

权利要求书

1.切槽爆破与光面爆破联合控制爆破法，包括以下步骤：

(1)根据微差爆破设计要求对爆破开挖区划定周边轮廓线，并在主体爆破开挖区(4)内布置微差爆破孔；

(2)沿所述爆破开挖区周边轮廓线布置光面爆破孔(7)；

(3)在所述爆破开挖区周边轮廓线之内预留光面层(5)靠所述主体爆破开挖区(4)的一侧布置切槽爆破孔(1)；所述预留光面层(5)的厚度为：所述爆破开挖区周边将要形成的保留岩体壁面(6)与切槽爆破孔轴线构成的平面(3)之间的距离，即光面爆破的最小抵抗线；

(4)利用切槽机械对所述切槽爆破孔(1)直径的两端切出V形槽(2)，该V形槽(2)所在的直径处在所述切槽爆破孔轴线构成的平面(3)内；所述切槽爆破孔轴线构成的平面(3)与所述保留岩体壁面(6)平行；

(5)根据岩体的类型对所述切槽爆破孔(1)按不耦合系数1.5～2.5进行爆破装药，并布设低段雷管；其中所述岩体属于软岩时线装药密度为70～120g/m，所述岩体属于中硬岩时线装药密度为120～300g/m，所述岩体属于硬岩时线装药密度为300g/m～350g/m；

(6)根据微差爆破设计要求对所述主体爆破开挖区(4)内的微差爆破孔进行爆破装药，并比所述切槽爆破孔(1)高二段开始隔段布设微差爆破雷管；

(7)对所述光面爆破孔(7)按与所述切槽爆破孔(1)相同的装药不耦合系数、线装药密度、装药品种进行爆破装药，并比所述主体爆破开挖区(4)最高段高二段布设所述爆破雷管；

(8)对所述主体爆破开挖区(4)内的微差爆破孔、所述切槽爆破孔(1)和所述光面爆破孔(7)进行堵塞；

(9)连接起爆网路，实施一次起爆，进行微差爆破，即所述切槽爆破孔(1)低段雷管起爆，接着所述主体爆破开挖区(4)内的微差爆破孔隔段布设的雷管起爆，最后所述光面爆破孔(7)起爆；

(10)出渣；

(11)重复上述步骤(1)～(10)，直至开挖完毕。

2.如权利要求1所述的切槽爆破与光面爆破联合控制爆破法，其特征在于：所述步骤(2)中光面爆破孔(7)的直径为38～42mm，且所述光面爆破孔(7)的孔间距为所述预留光面层(5)厚度的0.6～0.9倍。

3.如权利要求1所述的切槽爆破与光面爆破联合控制爆破法，其特征在于：所述步骤(2)中预留光面层(5)厚度为10～20倍的所述光面爆破孔(7)直径。

4.如权利要求1所述的切槽爆破与光面爆破联合控制爆破法，其特征在于：所述步骤(3)中切槽爆破孔(1)的直径与所述光面爆破孔(7)的直径相同，且所述切槽爆破孔(1)的孔间距为所述切槽爆破孔(1)直径的10～25倍。

5.如权利要求1所述的切槽爆破与光面爆破联合控制爆破法，其特征在于：所述步骤(4)中V形槽(2)的切槽角为55～65°，切槽深度为4～6mm。

6.如权利要求1所述的切槽爆破与光面爆破联合控制爆破法，其特征在于：用下述方法代替权利要求1中所述步骤(5)：首先给所述切槽爆破孔(1)两端的V形槽(2)分别装上线型槽(8)，使所述线型槽(8)的张口方向与所述V形槽(2)的开口方向一致，且所述线型槽(8)的张口角度与所述V形槽(2)的张口角度相同，并贴于所述V形槽(2)的壁面；然后根据岩体的类型对所述切槽爆破孔(1)按不耦合系数1.5～2.5进行爆破装药，并布设低段雷管；其中所述岩体属于软岩时线装药密度为70～120g/m，所述岩体属于中硬岩时线装药密度为120～300g/m，所述岩体属于硬岩时线装药密度为300g/m～350g/m。

7.如权利要求6所述的切槽爆破与光面爆破联合控制爆破法，其特征在于：所述线型槽(8)的横截面呈V形；沿所述线型槽(8)的纵向且在V形的尖顶开设切缝(9)，该切缝(9)对准所述V形槽(2)的尖顶。

8.如权利要求6所述的切槽爆破与光面爆破联合控制爆破法，其特征在于：所述线型槽(8)由金属、塑料或PVC材料制成，其壁厚为0.5～2mm。

9.如权利要求6所述的切槽爆破与光面爆破联合控制爆破法，其特征在于：所述切缝(9)的宽度为5～10mm，其底端与所述线型槽(8)的底端(10)的距离为2～4cm，其顶端与所述线型槽(8)的顶端(11)的距离为10～35cm。

10.如权利要求1所述的切槽爆破与光面爆破联合控制爆破法，其特征在于：用下述方法代替权利要求1中步骤(9)：连接起爆网路，先起爆所述切槽爆破孔(1)，接着起爆所述主体爆破开挖区(4)内的微差爆破孔，最后起爆所述光面爆破孔(7)。