[发明专利]光刻设备和可移除构件

说明书

技术领域

本发明涉及光刻设备以及用于改善至/来自光刻设备的物体或光刻设备中的物体的热传递的可移除构件。

背景技术

光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。所述图案的转移通常是通过将图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。通常，单个衬底将包含连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括：所谓的步进机，在所述步进机中，通过将整个图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及所谓的扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。也可能通过将图案压印(imprinting)到衬底的方式从图案形成装置将图案转移到衬底上。

在光刻设备中，衬底被放置在衬底台上。通常，衬底被放置在连接至衬底台的突节板上。突节板包括多个突节，该突节是放置衬底的突起。因而，在衬底和突节板的处于突节之间的表面之间存在间隙。

使用整体衬底台调节系统对衬底进行热调节。这种调节系统通常使用流体作为热传递介质，以将衬底台的温度保持基本上恒定。

发明内容

重叠和聚焦技术规范需要精确的衬底热调节。然而，这是困难的。例如，干式光刻设备的困难在于由于被投影束加热升温而在衬底上具有过热斑。例如，浸没光刻设备的困难在于由于蒸发而具有冷点。例如，极紫外(EUV)辐射光刻设备因为存在真空而遇到些问题。

处理可能存在的衬底局部升温或冷却的一种方法是通过在突节之间的突节板上沉积一个或多个加热器/传感器用于热感测和加热。传感器和加热器实质上都可以是局部的，这意味着在平面上它们仅覆盖衬底的局部区域。每个加热器/传感器组合被单独地控制，由此获得局部热调节。使用柔性接触可以实现突节板和衬底台的剩余部分之间的电接触。

光刻设备中的其他物体也需要进行热调节，期望是能够考虑在加热/冷却过程中的局部变化的热调节。例如，光刻设备的一个或多个透镜可以受益于这种系统。

期望地，例如提供用以热调节光刻设备内的物体的一种设备。

根据一方面，提供一种光刻设备，布置成将图案形成装置的图案传递至衬底上，所述光刻设备包括用以改进至/来自物体的热传递的构件。

根据一方面，提供一种光刻设备，布置成将图案形成装置的图案传递至衬底上，所述光刻设备包括：第一物体；和多个碳纳米管，所述多个碳纳米管延伸朝向第一物体，其中轴线基本上与垂直第一物体的表面的方向对准、以改善至/来自所述第一物体的热传递。

根据一方面，提供一种可移除构件，用以改善至/来自光刻设备的物体或光刻设备中的物体的热传递，所述可移除构件包括至少一个加热器和至少一个温度传感器。

附图说明

现在参照随附的示意性附图，仅以举例的方式，描述本发明的实施例，其中，在附图中相应的附图标记表示相应的部件，且其中：

图1示出了根据本发明一个实施例的光刻设备；

图2示出突节板和平面构件的平面图；

图3以平面图示出突节板和平面构件的横截面；以及

图4以平面图示出突节板和平面构件的横截面。

具体实施方式

图1示意地示出了根据本发明一个实施例的光刻设备。所述设备包括：

照射系统(照射器)IL，其配置用于调节辐射束B(例如，紫外(UV)辐射或极紫外(EUV)辐射)；

支撑结构(例如掩模台)MT，其构造用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA，并与用于根据确定的参数精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连；

衬底台(例如晶片台)WT，其构造成用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于根据确定的参数精确地定位衬底的第二定位装置PW相连；和

投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS，其配置成用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或多根管芯)上。

照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。