[发明专利]氧化硅玻璃坩埚的制造方法及制造装置有效

专利信息
申请号: 201110396959.8 申请日: 2011-12-02
公开(公告)号: CN102531345A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 须藤俊明;岸弘史;长谷部幸太 申请(专利权)人: 日本超精石英株式会社
主分类号: C03B20/00 分类号: C03B20/00
代理公司: 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 代理人: 杨波
地址: 秋田县秋田*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 氧化 玻璃 坩埚 制造 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种氧化硅玻璃坩埚的制造方法,其特征在于:所述方法包括:

向旋转的模具内供给氧化硅粉末来形成氧化硅粉层的氧化硅粉末供给工序;

利用多根碳电极进行电弧放电来熔化上述氧化硅粉层的电弧熔化工序;

将各碳电极前端与上述氧化硅粉层的靶面之间的距离分别设定为等距离,以吹入靶面的电弧火焰进行表面除去的火焰抛光工序。

2.如权利要求1所述的氧化硅玻璃坩埚的制造方法,其特征在于:在上述火焰抛光工序中,多根碳电极的中心轴线与模具旋转轴线之间的角度为0.5~60°。

3.如权利要求1所述的氧化硅玻璃坩埚的制造方法,其特征在于:在上述火焰抛光工序中,上述各碳电极前端与上述靶面的距离的范围为5~200mm。

4.如权利要求3所述的氧化硅玻璃坩埚的制造方法,其特征在于:通过设定碳电极位置,使上述多根碳电极的相邻的碳电极前端之间成为等距离。

5.如权利要求1所述的氧化硅玻璃坩埚的制造方法,其特征在于:上述火焰抛光工序,在电弧总时间的10~90%范围的时间内进行。

6.如权利要求5所述的氧化硅玻璃坩埚的制造方法,其特征在于:上述火焰抛光工序,在上述电弧熔化工序之后或者与上述电弧熔化工序同时进行。

7.如权利要求1所述的氧化硅玻璃坩埚的制造方法,其特征在于:在上述火焰抛光工序中,电弧火焰从坩埚的底部中心侧向上端部侧移动。

8.如权利要求1所述的氧化硅玻璃坩埚的制造方法,其特征在于:在上述火焰抛光工序中,电弧火焰从坩埚的上端部侧向底部中心侧移动。

9.如权利要求7所述的氧化硅玻璃坩埚的制造方法,其特征在于:在上述火焰抛光工序中,使电弧火焰以0.1~50cm/min的速度移动。

10.一种氧化硅玻璃坩埚的制造装置,其使用权利要求1~9的任意一项所述的制造方法制造氧化硅玻璃坩埚,其特征在于包括:

规定氧化硅玻璃坩埚的外形且向模具内供给氧化硅粉末来形成氧化硅粉层的旋转模具;

具有多个碳电极及电力供应单元且利用多根碳电极进行电弧放电来加热熔化氧化硅粉层的电弧放电单元;

控制相邻的碳电极前端间呈等距离的同时,可控制碳电极前端与上述模具的相对位置的电极位置设定单元;以及

控制上述模具的旋转中心线的水平方向位置及角度和模具的高度的模具位置设定单元;

其中,上述电极位置设定单元和上述模具位置设定单元的任意一方或双方具有将各碳电极前端与上述氧化硅粉层的靶面的距离可设定为等距离的结构。

11.如权利要求10所述的氧化硅玻璃坩埚的制造装置,其特征在于:上述各碳电极前端与上述氧化硅粉层的靶面的距离范围设定为5~200mm。

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