[发明专利]BH逆变拓扑结构

权利要求书

1.一种BH逆变拓扑结构，包括无电容BUCK单元和逆变H桥单元，其特征在于：无电容BUCK单元包括第一IGBT、电感线圈和二极管，逆变H桥单元包括第二IGBT、第三IGBT、第四IGBT和第五IGBT，第一IGBT的发射极分别与电感线圈的一端、二极管的负极连接，输入直流电源的正极与第一IGBT的集电极连接，二极管的正极与输入直流电源的负极连接，电感线圈的另外一端分别与第二IGBT的集电极、第五IGBT的集电极连接，第二IGBT的发射极分别与第三IGBT的集电极、电网的一端连接，第五IGBT的发射极分别与第四IGBT的集电极、电网的另外一端连接，二极管的正极分别与第三IGBT的发射极、第四IGBT的发射极连接。

2.根据权利要求1所述的一种BH逆变拓扑结构，其特征在于：第一IGBT以载波频率工作在高频状态，第二IGBT、第三IGBT、第四IGBT和第五IGBT以调制波频率工作在工频状态，当在调制波正半周期时，当第一IGBT开通时，输入直流电压加在电感线圈上，此时第二IGBT、第四IGBT导通，输入向电网回馈能量；当第一IGBT关断时，电感线圈的电流通过第二IGBT、电网、第四IGBT和二极管续流；当在调制波负半周期时，当第一IGBT开通时，输入直流电压加在电感线圈上，此时第五IGBT和第三IGBT导通，输入向电网回馈能量，当第一IGBT关断时，电感线圈的电流通过第五IGBT、电网、第三IGBT和二极管续流，电感线圈始终向一个方向励磁；当第二IGBT和第四IGBT以调制波的频率在正半周期导通，第三IGBT和第五IGBT在负半周期导通；当第二IGBT和第四IGBT以调制波的频率在负半周期导通，第三IGBT和第五IGBT在正半周期导通。