[发明专利]场发射式显示面板

说明书

技术领域

本发明是有关于一种显示面板，且特别是有关于一种场发射式显示面板。

背景技术

一般来说，场发射式显示面板主要是在超高真空的环境(小于10-6陶尔)下，于阴极上制作电子发射端(electron emitter)，并利用电子发射端中高深宽比(high aspect ratio)的微结构来帮助电子克服阴极的功函数(work function)而脱离阴极。另外，在场发射显示面板中，若在阳极上涂布萤光粉，并藉由阴极与阳极的间的高电场使电子由阴极的电子发射端导出，透过电场的作用而直接撞击阳极上的萤光粉，即可以发出可见光。

目前的场发射式显示面板所面临的问题是，显示面板的发光亮度的均匀度不足。换言的，在传统的场发射式显示面板中，部分区域的电子发射端的电流与另一部份区域的电子发射端的电流会有明显的差异，如此将造成显示面板的整体的发光亮度的均匀度不佳。

发明内容

本发明提供一种场发射式显示面板，其可以改善传统场发射式显示面板发光亮度的均匀度不足的问题。

本发明提出一种场发射式显示面板，其包括基板、第一电阻元件、第一导电图案、电子发射元件、第二电阻元件、第二导电图案以及导电层。基板至少具有显示区与非显示区，且显示区至少包括第一子像素区及第二子像素区。第一电阻元件设置于第一子像素区及第二子像素区中，其中第一子像素区中的第一电阻元件的电阻值不同于第二子像素区中的第一电阻元件的电阻值。第一导电图案连接第一子像素区中的第一电阻元件的一端与第二子像素区中的第一电阻元件的一端。电子发射元件设置于第一子像素区及第二子像素区中，且连接第一子像素区中的第一电阻元件的另一端与第二子像素区中的第一电阻元件的另一端。第二电阻元件设置于第一子像素区及第二子像素区中，其中第一子像素区中的第二电阻元件的电阻值不同于第二子像素区中的第二电阻元件的电阻值。第二导电图案连接第一子像素区中的第二电阻元件的一端与第二子像素区中的第二电阻元件的一端。导电层连接第一子像素区中的第二电阻元件的另一端与第二子像素区中的第二电阻元件的另一端，其中导电层环绕且浮接于电子发射元件。

该第一电阻元件与该第二电阻元件包括电阻材料层。

该第一导电图案与该第二导电图案是由同一膜层所构成。

该导电层位于该第一电阻元件、该第二电阻元件、该第一导电图案与该第二导电图案的上。

进一步包括一绝缘层，位于该导电层的下且未遮蔽该电子发射元件。

该第一电阻元件与该第二电阻元件投影至该基板上时，该第一电阻元件不与该第二电阻元件重迭。

该导电层所传递的电压经由该第一子像素区的该第二电阻元件而给予该电子发射元件的电流与该导电层所传递的电压经由该第二子像素区的第二电阻元件而给予该电子发射元件的电流实质上相同。

本发明另提出一种场发射式显示面板，包括基板、第一导电层、电阻材料层、绝缘层、电子发射元件以及第二导电层。基板至少包括显示区与非显示区。第一导电层设置于显示区中，且第一导电层包括第一电极线以及与第一电极线电性连接的第一电极。电阻材料层位于显示区中的第一导电层上。绝缘层覆盖于显示区中的电阻材料层上，且绝缘层具有第一开口以及第二开口，第一开口暴露出位在第一电极上方的部份电阻材料层，第二开口暴露出位在第一电极线上方的部份电阻材料层。电子发射元件设置于被第一开口所暴露出来的电阻材料层上。第二导电层设置于绝缘层上及第二开口中，其中第二导电层包括第二电极线以及与第二电极线电性连接的第二电极，且第二电极具有第三开口以暴露出电子发射元件，而第二电极线与第一电极线至少定义出第一子像素区与第二子像素区。

在该第一子像素区中的该第二开口投影至该基板的面积实质上不同于在该第二子像素区中的第二开口投影至该基板的面积。

该第二导电层接触位于该第二开口中的该电阻材料层的表面。

在该第一子像素区中的该第二开口是位于该第一电极线与该第二电极线交错处。

在该第二子像素区中的该第二开口是位于该第一电极线与该第二电极线交错处。

该第一电极线与该第一电极的连接处具有一间隙，以使得该第一电极线与该第一电极分离。

在该第一子像素区中的该第一开口投影至该基板的面积实质上不同于在该第二子像素区中的该第一开口投影至该基板的面积。

在该第一子像素区中的该电子发射元件面积实质上不同于在该第二子像素区中的该电子发射元件面积。