[发明专利]等离子体管阵列型显示装置无效
申请号: | 201110391495.1 | 申请日: | 2011-12-01 |
公开(公告)号: | CN102709137A | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 宫村幸春;四户耕治;板舛克彦 | 申请(专利权)人: | 筱田等离子有限公司 |
主分类号: | H01J17/49 | 分类号: | H01J17/49;H01J17/18;H01J17/16 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 郭小军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子体 阵列 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种包括多个平行布置的等离子体管的等离子体管阵列型显示装置。特别是,本发明涉及一种等离子体管阵列型显示装置,其中等离子体管阵列和框架基板通过起伏状的中间构件相互附接。
背景技术
如在美国公开文件No.2009/0315441A1(JP2010-27598A)中所公开的,已经作为新一代大屏幕显示装置开发出了一种等离子体管阵列型显示装置,其中平行布置多个充满了放电气体的等离子体管(发光管)。例如,可以使用一种其中相互连接有多个一平方米的等离子体管阵列模块的等离子体管阵列型显示装置,来构造出具有几米乘几米的尺寸的大屏幕显示装置。在所述等离子体管阵列型显示装置的情况中,不必例如像在若干LCD和若干PDP的情况中那样操作大型的玻璃基板并且不需要大型的设备。因此,可以以很低的成本提供具有均匀图像质量的大屏幕显示装置。
在图6A中,传统的等离子体管阵列型显示装置的等离子体管阵列具有矩形形状并且包括平行地布置的多个等离子体管31、31...,其中每个等离子体管都充满了放电气体。每个等离子体管31、31...都是由薄玻璃管制成的。每个管的直径理想地为大约0.5到5毫米。每个薄的等离子体管可能具有任何形状的横截面,例如,圆截面、扁椭球截面或者方形截面。此外,等离子体管31、31...按预定比值和预定压力充以例如氖、氙等的放电气体混合物。
平行地布置的多个等离子体管31、31...被保持在后侧寻址电极板33和前侧显示电极板35之间。后侧寻址电极板33包括在设置成与每个等离子体管31的纵向方向上的底面接触的寻址电极32、32...。前侧显示电极板35包括沿横过每个等离子体管31的纵向方向上的顶面的方向设置的显示电极34、34...。显示电极板35是柔性板并且例如由聚碳酸酯薄膜或者PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)薄膜构造而成。
多个显示电极34、34...以条带样式设置在显示电极板35的内表面上。它们按这样的方式与各个等离子体管31接触以便横过其顶面。构成显示电极对的相邻的显示电极34和34起到X电极和Y电极的作用,并且在等离子体管31、31...内部且在X电极和Y电极之间产生了显示放电。显示电极34可以成形来允许按除了透明条带样式之外的本领域已知的样式透射光,例如网孔样式、阶梯样式或者梳齿样式。此外,用于显示电极34的材料的实例包括例如ITO(铟氧化锡)、SnO2的透明导电材料和例如银、金、铝、铜、铬的金属导电材料。
可以将本领域已知的各种方法用于形成显示电极34的方法。例如,可以使用例如印刷的厚膜成形技术来形成显示电极,或者使用薄膜成形技术来形成显示电极,薄膜成形技术包括物理沉淀法或者化学淀积法和光刻法的图案成形技术。厚膜成形技术的一个实例是丝网印刷法。在薄膜成形技术之中,物理沉淀法的实例包括汽相淀积法和溅射法。化学淀积法的实例包括热化学汽相淀积(CVD)法、光CVD法和等离子体CVD法。
各个寻址电极32、32...对于每个等离子体管31都沿等离子体管31、31...的纵向方向设置在等离子体管阵列30的背面上。寻址电极32、32...在与成对的显示电极34、34...的相交处形成了放电单元(发光单元)。还可以使用本领域已知的不同材料和方法来形成寻址电极32。为了方便起见,将其上形成有寻址电极32、32...的寻址电极板33显示为一个板。然而,事实上,从消除由各个等离子体管31之间在直径上的轻微差异所引起的等离子体管31和寻址电极32之间的位置误差并且实现显示屏在与等离子体管31的纵向方向相交的方向上的柔性的观点出发,其由多个单独的板构造而成,每个板都例如相当于一个红绿蓝(RGB)组的三个等离子体管31或者八个RGB组的二十四个等离子体管31。
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