[发明专利]一种电触点用Ag/Cr2O3复合膜及其制备和应用

权利要求书

1.一种电触点用Ag/Cr₂O₃复合膜，其特征在于，复合膜由Ag基体和弥散其中的Cr₂O₃颗粒组成，按质量百分数计，Cr₂O₃颗粒含量为1.5％-15.0％，其余为Ag。

2.一种权利要求1所述电触点用Ag/Cr₂O₃复合膜的制备方法，其特征在于，制备分两步进行：

(1)首先采用Ag与Cr颗粒共电沉积的方法在浸Ag打底的Cu基体上制备Cr颗粒弥散分布的Ag/Cr复合镀层；

(2)然后通过Cr颗粒的原位内氧化，使Ag/Cr复合镀层中的Cr颗粒氧化生成Cr₂O₃颗粒并均匀弥散于Ag基体中从而获得Ag/Cr₂O₃复合膜。

3.根据权利要求2所述电触点用Ag/Cr₂O₃复合膜的制备方法，其特征在于，步骤1)中的Ag/Cr复合镀层，按质量百分数计，Cr颗粒含量为1.0％-10.0％，其余为Ag。

4.根据权利要求2所述电触点用Ag/Cr₂O₃复合膜的制备方法，其特征在于，步骤1)中Cu基体共电沉积前先浸Ag打底，浸Ag液组成为：硫脲180-220g/l，AgNO₃ 10-20g/l，溶剂为水，浸Ag液pH为3-5，温度15-35℃，浸Ag时间30-180s，获得纯Ag打底层；

共电沉积制备Ag/Cr复合镀层时通过多孔板以60-180rpm的速率上下搅拌使Cr颗粒悬浮在沉积液中，Cr颗粒尺寸10nm-2μm，添加量10-150g/l，沉积液组成如下：Na₂S₂O₃ 180g/l-220g/l，AgNO₃ 30g/l-50g/l，K₂S₂O₅ 30g/l-50g/l，溶剂为水，沉积液pH为4-6，温度15-45℃，电流密度0.3-1.5A/dm²，时间0.5-5h。

5.根据权利要求2所述电触点用Ag/Cr₂O₃复合膜的制备方法，其特征在于，步骤1)中所制备的Ag/Cr复合镀层的厚度为10-200μm。

6.根据权利要求2所述电触点用Ag/Cr₂O₃复合膜的制备方法，其特征在于，步骤2)中的Ag/Cr₂O₃复合膜，按质量百分数计，Cr₂O₃颗粒含量为1.5％-15.0％，其余为Ag。

7.根据权利要求2所述电触点用Ag/Cr₂O₃复合膜的制备方法，其特征在于，步骤2)中通过内氧化的方法，采用空气气氛，温度500-750℃，时间0.5-5h。

8.根据权利要求2所述电触点用Ag/Cr₂O₃复合膜的制备方法，其特征在于，步骤2)中制备的Ag/Cr₂O₃复合膜的厚度为5-190μm。

9.一种权利要求1所述电触点用Ag/Cr₂O₃复合膜的应用，其特征在于，Cu基体+Ag/Cr₂O₃复合膜用作电器元件的电触点。

10.根据权利要求9所述电触点用Ag/Cr₂O₃复合膜的应用，其特征在于，电器元件包括继电器、断路器、接触器或行程开关。