[发明专利]一种主动式单键密码输入法无效

专利信息
申请号: 201110387679.0 申请日: 2011-11-18
公开(公告)号: CN102496207A 公开(公告)日: 2012-06-13
发明(设计)人: 林剑 申请(专利权)人: 林剑
主分类号: G07F7/02 分类号: G07F7/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 571300 *** 国省代码: 海南;66
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摘要:
搜索关键词: 一种 主动 单键 密码 输入法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种用于电子锁的密码输入法,更具体地说,涉及一种以单片机为核心,使用1个按键就能输入密码和修改密码的方法。

背景技术

早期的单片密码控制系统输入密码需要用到十个以上的数字按键,这使得键盘的面积大,结构不紧凑,防水困难。虽然,近期出现了名为《一种单键式密码输入方法》的专利(专利号200610024671.7),但它是被动式的,也就是操作者要等待控制器输出脉冲信号的个数来确定每位密码数,然而当输出的脉冲信号频率高时,反应慢的人就会不适应,反过来,当频率低时,反应快的人会不耐烦。另个,操作者要完成密码的输入,不可能只凭敲击按键而不看;所以该输入法不能盲输;该输入法也不能修改密码。

发明内容

针对现有技术的不足,本发明的目的是提供一种主动式单键密码输入法,它不但使用1个按键就能输入密码,而且还能修改密码

本发明的目的是这样实现的:

一种主动式单键密码输入法,包括单片机,一个按键连接单片机的输入接口,通过敲击这个按键输入密码;通过敲击这个按键进行密码修改,其中先输入已知密码,后输入设定密码。

在上述技术方案基础上,本发明还有以下进一步的措施;

密码的每位数为按键连续敲击的次数,且敲击间隔小于M;密码的每位数之间的敲击间隔大于M。

本发明的优点如下:

1、本输入法密码的每位数为按键的连续敲击次数,所以密码的每位数可设置成大于9的数。如,连续敲击二十五下,此位密码就是二十五,可设置简单而可靠的密码,从而提高了密码破解难度。

2、由于本输入法的操作者是主动敲击按键,所以密码输入快慢可因人而异。

3、由于本输入法的每个输入步骤只凭敲击按键的感觉就能完成,不需要通过看和听来判断密码的输入,便于实现盲输。

4、本输入法可以修改密码。

附图说明

图1是本发明的电路图;

图2是本发明的按键敲击步骤示意图;

图3是本发明的单片机程序流程图。

具体实施方式

图1是一个通过敲击按键输入密码来点亮发光二极管的电路图。1为PIC单片机;3为按键,它的一端连接负极,另一端通过限流电阻2与单片机的输入接口连接;4为发光二极管,它的一端接负极,另一端通过限流电阻5与单片机的输出接口连接。

图1的单片机已经固化了控制程序,单片机接通5v电源后,则可敲击按键输入密码点亮发光二极管。按键敲击一次用B表示,它对应图2中的B。通过图2说明密码输入和修改:

以输入密码352作为例子。步骤201中,按键连续快速敲击三下,接着停顿;单片机把3存入寄存器单元。

快速敲击,说明按键敲击间隔小于M;停顿,说明与下一位数的间隔大于M;单片机对按键敲击信号输入进行检测,即单片机主要判断按键敲击的输入信号间隔,从而区别输入信号的作用。而编写程序时对M的确定是根据人的敲击习惯和特点来决定的。本例的M定为0.8秒。下面相同,不再赘述。

步骤202中,按键连续快速敲击五下,接着停顿;单片机把5存入寄存器单元。

步骤203中,按键连续快速敲击二下,接着停顿;单片机把2存入寄存器单元。

步骤204中,敲击一次,接着停顿,单片机辨认出确认(本例程序把单独敲击一次定义为确认)。单片机根据确认信号知道密码输入完毕,把寄存器的密码与系统密码比对。从而判断密码输入是否正确。当输入的密码正确,单片机令输出端口的电平变高,发光二极管被点亮。密码不正确,单片机自动复位,则可重新输码。

如果以上输入的密码正确,则步骤205的确认使单片机进入修改密码状态,只要输入设定密码,已知密码被设定密码替代。而步骤206至步骤208为输入设定密码212(这是两位数密码,2和12)的过程,方法与上面的密码输入操作相同。

以上,步骤201至步骤204为先输入已知密码,步骤206至步骤208为输入设定密码。

图3为单片机程序流程图:

301为初始化。302中,根据EEPROM的相关记录判断是否自动设定系统密码;当单片机固化程序,第一次上电会自动把设定的系统密码2烧写入EEPROM,303所示。304是把系统的密码从EEPROM复制到RAM,准备用来比对输入密码。在305,对是否敲击按键作出判断;有敲击,进入306,被指定RAM单元加1;当不敲击,则循环检测等待按键敲击;307所示,等待时间超过0.8秒进入309。

如果指定的RAM存储器单元不为1,此时指向一个空的RAM存储器单元,308所示。如果指定的RAM存储器单元为1则进入310,这时如果二极管没有点亮则进入312;当比对的结果一致,二极管被点亮317;不一致则进入315。在310如果二极管已经点亮,则进入311。此时如果是第一次进入311,则进入修改密码状态316。如果是第二次进入311,则进入313:把设定密码烧入EEPROM,取代原密码。

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